AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
操作模式
命令
模式寄存器设置
自动刷新
条目
自
刷新
银行激活
读
写
突发停止
预充电
选择银行
两家银行
条目
出口
条目
预充电电源
Down模式
出口
DQM
没有操作命令
* V =有效。
CKEN - 1 CKEN
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
H
X
H
L
H
X
X
X
X
X
L
H
L
H
X
X
CS
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
X
H
L
RAS
L
L
L
H
X
L
H
H
H
L
X
V
X
X
H
X
H
X
X
H
CAS
L
L
L
H
X
H
L
L
H
H
X
V
X
X
H
X
H
X
X
H
WE
L
H
H
H
X
H
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
H
X
X
H
DQM
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
X
X
A11
A10
操作码
X
X
X
X
A9–A0
记
1,2
3
3
3
3
出口
V
*
V
V
行地址
L
H
L
H
X
L
H
X
COLUMN
地址
COLUMN
地址
4
4,5
4
4,5
6
X
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
V
X
时钟暂停或
主动关机
X
X
X
X
X
7
1
2
3
4
5
6
7
OP =操作码。
A0 〜 A11参见第5页。
刘健只能发出时，两家银行预充电，没有数据突发正在进行中。一个新的命令可以发出2个时钟周期压脚提升MRS 。
自动刷新功能类似于CBR DRAM刷新。然而，预充电是自动的。
两家银行预充电后自动/自刷新只能发出。
A11 ：银行选择地址。如果在读低，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果在这些国家高，银行B的选择。两家银行的选择和A11被忽略，如果A10是中行预充电高。
读/自动预充电写一个突发期间不能发行新的读/写/ DEAC命令相同的银行。
一个新行激活命令可以吨后发出
RP
从突发的末端。
突发停止命令在每一个突发长度，除了全页突发有效。
DQM采样CLK的上升沿。数据项可能在每个CLK被掩蔽（收件DQM延迟为0）。
数据输出面膜是活动2 CLK周期发行后。 （读DQM潜伏期为2 ） 。
4
半导体联盟
7/5/00
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
