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AS4LC1M16S1-12TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC1M16S1-12TC图片预览
型号: AS4LC1M16S1-12TC
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内容描述: 3.3V 2M ×8 / 1M ×16的CMOS同步DRAM [3.3V 2M x 8/1M x 16 CMOS synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 28 页 / 692 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
V MIN = -1.5V脉冲宽度小于5纳秒。
IL
I
OH
= -2mA ,我
OL
= 2毫安。
符号
V
CC
,V
CCQ
GND
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
3.0
0.0
2.0
–0.3
2.4
0
公称
3.3
0.0
最大
3.6
0.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.4
70
单位
V
V
V
V
V
V
°C
笔记
8
8
推荐的操作条件下适用于整个本文件,除非另有规定。
绝对最大额定值
参数
输入电压
电源电压
存储温度(塑料)
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
,V
CCQ
T
英镑
P
D
I
OUT
–1.0
–1.0
–55
最大
+4.6
+4.6
+150
1
50
单位
V
V
°C
W
mA
笔记
注:应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本specificati上的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
6
半导体联盟
7/5/00