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AS4LC1M16S1-10TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC1M16S1-10TC图片预览
型号: AS4LC1M16S1-10TC
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内容描述: 3.3V 2M ×8 / 1M ×16的CMOS同步DRAM [3.3V 2M x 8/1M x 16 CMOS synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 28 页 / 692 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
模式寄存器场
地址
功能
在刘健周期足协= 0 。
A11~A10
俄罗斯足协
寄存器编程与MRS
A9
A8
A7
A6
A5
A4
WBL
TM
CAS
潜伏期
A3
BT
A2
A1
A0
突发长度
写突发长度
A9
程序
0
突发长度
1
单爆
突发类型
A3
TYPE
0
顺序
1
交错
A8
0
0
1
1
测试模式
A7
TYPE
0模式寄存器设置
1
版权所有
0
版权所有
1
版权所有
CAS延迟
A4
潜伏期
0
版权所有
1
1
0
2
1
3
X
版权所有
突发长度
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
A6
0
0
0
0
1
A5
0
0
1
1
X
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
BT = 0
1
2
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
整页
BT = 1
1
2
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
突发序列(突发长度= 4 )
初始地址
A1
0
0
1
1
初始地址
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
2
3
顺序
1
2
2
3
3
0
0
1
交错
3
0
1
2
0
1
2
3
1
0
3
2
2
3
0
1
3
2
1
0
突发序列(突发长度= 8 )
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
2
3
4
5
6
7
1
2
3
4
5
6
7
0
2
3
4
5
6
7
0
1
顺序
3
4
4
5
5
6
6
7
7
0
0
1
1
2
2
3
5
6
7
0
1
2
3
4
6
7
0
1
2
3
4
5
7
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
1
0
3
2
5
4
7
6
2
3
0
1
6
7
4
5
交错
3
4
2
5
1
6
0
7
7
0
6
1
5
2
4
3
5
4
7
6
1
0
3
2
6
7
4
5
2
3
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
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半导体联盟
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