2001年3月
®
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
4M
✕
4 CMOS QuadCAS DRAM （ EDO ）系列
特点
•组织： 4,194,304字× 4位
•高速
- 50/60 ns的RAS访问时间
- 25/30 ns的列地址访问时间
- 12/15 NS CAS访问时间
•低功耗
- 活动： 495毫瓦最大
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
•扩展数据输出
•刷新
- 4096刷新周期， 64毫秒刷新间隔
4C4M4EOQ
- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔
AS4C4M4E1Q
- RAS -只和隐藏刷新或CAS先于RAS刷新
或自刷新
• TTL兼容
• 4个独立的CAS引脚允许独立的I / O操作
• JEDEC标准封装
- 300万， 28引脚SOJ
- 300万， 28引脚TSOP
• 5V电源
•闩锁电流
≥
200毫安
• ESD保护
≥
2000毫伏
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
TSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
PIN码（ S）
A0到A11
RAS
CAS
WE
I / O0至I / O 3
OE
V
CC
GND
NC
描述
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出
OUTPUT ENABLE
动力
地
无连接
AS4C4M4E0
11
12
13
14
* NC在2K刷新版本; A11的4K刷新版本
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小的超页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
3/22/01; v.1.0
AS4C4M4E0
4C4M4EOQ/E1Q-50
50
25
12
13
85
20
110
1.0
4C4M4EOQ/E1-60
60
30
15
15
100
24
100
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
16 P. 1
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
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ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
