AS4C256K16FO
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功能说明
该AS4C256K16FO是一款高性能的4兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM）的设备组织成
262,144字× 16位。该AS4C256K16FO被制造与先进的CMOS技术和设计创新
设计技术产生高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
该AS4C256K16FO功能是进行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写
在任何512的
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个极短的行
针对捕获时间缓和与复用寻址相关联的系统级的时序约束。输出三态由
列地址选通（CAS ），其作为一个输出使能独立的RAS 。非常快的CAS输出存取时间例
系统设计。
在一个8毫秒周期，通过执行以下任一操作完成刷新的A0 -A8的512地址的组合：
•
•
•
•
•
RAS-只刷新周期
隐藏的更新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常的读或写周期
自刷新周期。
*
该AS4C256K16FO可在标准的40引脚塑料SOJ和44引脚TSOP II封装兼容广泛使用
自动化测试和插入设备。系统级功能包括5V的单电源供电±10 ％的容差和直接
接口与TTL逻辑系列。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
Addreess缓冲区
OE
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
偏置发生器
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
4.5
0.0
2.4
–1.0
典型值
5.0
0.0
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
+ 1
0.8
单位
V
V
V
V
*自刷新选项仅适用于新的发电装置。联系联盟的更多信息。
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25 P. 2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
