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    AS4C256K16F0-25JC 参数 Datasheet PDF下载

    AS4C256K16F0-25JC图片预览
    型号： AS4C256K16F0-25JC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 5V 256K ×16的CMOS DRAM（快速页面模式） [5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 25 页 / 518 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS4C256K16F0-25JC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS4C256K16F0-25JC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS4C256K16F0-25JC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4C256K16F0-25JC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4C256K16F0-25JC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4C256K16F0-25JC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS4C256K16F0-25JC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS4C256K16F0-25JC的Datasheet PDF文件第9页  
    AS4C256K16FO
    ®
    通用于所有波形AC参数
    标准
    符号
    t
    RC
    t
    RP
    t
    RAS
    t
    CAS
    t
    RCD
    t
    拉德
    t
    RSH （R）的
    t
    CSH
    t
    CRP
    t
    ASR
    t
    RAH
    t
    T
    t
    REF
    t
    CLZ
    –25
    参数
    随机读或写周期时间
    RAS预充电时间
    RAS脉冲宽度
    CAS脉冲宽度
    RAS到CAS的延迟时间
    RAS到列地址的延迟时间
    CAS到RAS保持时间（读周期）
    RAS到CAS保持时间
    CAS到RAS预充电时间
    行地址建立时间
    行地址保持时间
    转换时间（上升和下降）
    刷新周期
    CAS在低Z输出
    民
    45
    15
    25
    4
    10
    8
    7
    20
    5
    0
    5
    1.5
    –
    0
    最大
    –
    –
    75K
    –
    17
    13
    –
    –
    –
    –
    –
    50
    8
    –
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，T
    a
    = 0 ° C至+ 70 ° C）
    –30
    民
    65
    25
    30
    5
    15
    10
    10
    30
    5
    0
    5
    1.5
    –
    0
    最大
    –
    –
    75K
    –
    20
    14
    –
    –
    –
    –
    –
    50
    8
    –
    70
    25
    35
    6
    16
    11
    10
    35
    5
    0
    6
    1.5
    –
    0
    –35
    民
    最大
    –
    –
    75K
    –
    24
    17
    –
    –
    –
    –
    –
    50
    8
    –
    85
    25
    50
    10
    15
    15
    10
    50
    5
    0
    9
    3
    –
    3
    –50
    民
    最大
    –
    –
    75K
    –
    35
    25
    –
    –
    –
    –
    –
    50
    8
    –
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ms
    ns
    4,5
    3
    8
    6
    7
    笔记
    读周期
    标准
    符号
    t
    RAC
    t
    CAC
    t
    AA
    t
    AR （R）的
    t
    RCS
    t
    RCH
    t
    RRH
    t
    拉尔
    t
    CPN
    t
    关闭
    –25
    参数
    从RAS访问时间
    从CAS访问时间
    从地址访问时间
    列从RAS增持
    READ命令设置时间
    读命令保持时间CAS
    读命令保持时间RAS
    列地址到RAS交货时间
    CAS预充电时间
    输出缓冲器关断时间
    民
    –
    –
    –
    19
    0
    0
    0
    12
    4
    0
    最大
    25
    7
    12
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    6
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，T
    a
    = 0 ° C至+ 70 ° C）
    –30
    民
    –
    –
    –
    26
    0
    0
    0
    16
    3
    0
    最大
    30
    10
    16
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    8
    民
    –
    –
    –
    28
    0
    0
    0
    18
    4
    0
    –35
    最大
    35
    10
    18
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    8
    –
    –
    –
    30
    0
    0
    0
    25
    5
    0
    –50
    民
    最大
    50
    10
    25
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    8
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    8,10
    9
    9
    笔记
    6
    6,13
    7,13
    4/11/01; V.0.9.1
    半导体联盟
    25第4页

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