AS4C256K16E0
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功能说明
该AS4C256K16E0是由16组织为262144字高性能4兆位的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）
位。该AS4C256K16E0被制造与先进的CMOS技术和设计创新的设计技术产生高
速度，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
在AS4C256K16E0功能上的任何执行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写
512
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个极短的行地址的捕获时间，以纾缓
系统级的时序约束与复用寻址相关的。非常快的CAS输出存取时间简化了系统设计。
在一个8毫秒周期，通过执行以下任一操作完成刷新A0至A8的512地址的组合：
• RAS-只刷新周期
•隐藏刷新周期
• CAS先于RAS的刷新周期
•正常读取或写入周期
•自刷新周期*
该AS4C256K16E0是标准的40引脚塑料SOJ可与广泛使用的自动40/44引脚TSOP II封装兼容
检测和插入设备。系统级功能包括5V的单电源供电
±
0.5V宽容和直接接口与TTL逻辑
家庭。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
RAS
RAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
地址缓冲器
OE
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
BIAS
发电机
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
4.5
0.0
2.4
–1.0
典型值
5.0
0.0
–
–
(T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
最大
5.5
0.0
V
CC
+ 1
0.8
单位
V
V
V
V
*自刷新选项仅适用于新的发电装置。联系联盟的更多信息。
4/11/01; v.1.1
半导体联盟
2 24
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
