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AS4C1M16E5-50TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16E5-50TC图片预览
型号: AS4C1M16E5-50TC
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内容描述: 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) [5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 601 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C1M16E5
®
写周期
-45
符号
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
参数
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
0
10
10
10
8
0
8
最大
0
10
10
10
8
0
8
-50
最大
0
10
10
10
10
0
10
-60
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
15
笔记
14
14
读 - 修改 - 写周期
-45
符号
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
参数
读 - 写周期时间
RAS以拖延时间
CAS以拖延时间
列地址来拖延时间
105
65
30
40
最大
113
67
32
42
-50
最大
135
77
35
47
-60
最大
单位
ns
ns
ns
ns
14
14
14
笔记
刷新周期
-45
符号
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
CPT
参数
CAS建立时间( CAS先于RAS
)
CAS保持时间( CAS先于RAS )
RAS预充电到CAS保持时间
CAS预充电时间
( CBR计数器测试)
5
8
0
10
最大
5
8
0
10
-50
最大
5
10
0
10
-60
最大
单位
ns
ns
ns
ns
笔记
6
6
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
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