高性能
1M×4
CMOS DRAM
AS4C14400
AS4C14405
®
1M位× 4 CMOS DRAM（快速页面模式或EDO ）
初步信息
特点
•组织： 1,048,576字× 4位
•高速
- 40/50/60/70 ns的RAS访问时间
- 20/25/30/35 ns的列地址访问时间
- 10/13/15/18 ns的CAS访问时间
• 1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔
- RAS -只或CAS先于RAS刷新
•读 - 修改 - 写
• TTL兼容，三态I / O
• JEDEC标准封装
- 300万，20元/ 26针SOJ
- 300万，20元/ 26针TSOP
•低功耗
- 活动： 385毫瓦最大（ -60 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
•快速页模式（ AS4C14400 ）或EDO （ AS4C14405 ）
•单5V电源
• ESD保护
≥
2001V
•闩锁电流
≥
200毫安
管脚配置
SOJ
I/O0
I/O1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
I/O0
I/O1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
引脚名称
TSOP
26
25
24
23
22
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
PIN码（ S）
A0到A9
RAS
I / O0至I / O 3
OE
CAS
WE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通
读/写控制
功率（ 5.0
±
0.5V)
地
A0
A1
A2
A3
V
CC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
V
CC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小快速页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影区域包含预览。
4C14400-40
40
20
10
10
70
30
90
1.0
4C14400-50
50
25
13
13
90
35
80
1.0
4C14400-60
60
30
15
15
110
40
70
1.0
4C14400-70
70
35
18
18
130
45
60
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
半导体联盟
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
