AS4C1M16E5
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功能说明
该AS4C1M16E5是组织为1,048,576字× 16一款高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
位。该设备采用先进的CMOS技术，并导致高速创新的设计制造技术，极低
电源和部件级和系统级宽的经营利润。联盟16Mb的DRAM的家族被用作主存储器的优化
在个人和手提电脑，工作站，以及多媒体和路由器交换的应用程序。
该AS4C1M16E5功能，其中阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行超页模式操作
非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器
下降的RAS和xCAS输入边缘，分别另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的
前xCAS断言列地址。该AS4C1M16E5提供了双UCAS和LCAS进行独立控制字节读写
访问。
扩展数据输出（EDO ） ，也被称为“超页模式下， ”允许高速操作。而相比之下， “快速页模式”设备，数据
仍活跃在产出后xCAS撤除高，给系统的逻辑更多的时间来锁存数据。用OE和WE控制输出
阻抗和防止在总线争用读 - 修改 - 写和共享总线的应用程序。输出也去高阻抗在最后
RAS和xCAS的occurrance要高。
刷新A0到A9的1024种地址组合必须进行使用，每16毫秒：
• RAS只刷新： RAS断言，而xCAS保持高电平。每1024行，必须选通。输出保持高阻抗。
•隐藏刷新： xCAS为低，而RAS被触发。输出保持低阻抗与以前的有效数据。
• CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ：至少有一个xCAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
•正常读取或写入周期刷新被访问的行。
该AS4C1M16E5是在标准的42针塑料SOJ可用和44 / 50-脚TSOP II封装。该AS4C1M16E5设备
工作于5V ± 0.5V的单电源供电，并提供TTL兼容的输入和输出。
逻辑框图
刷新
调节器
V
CC
GND
RAS时钟
发电机
列解码器
SENSE AMP
数据
DQ
缓冲器
DQ1到DQ16
RAS
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
地址缓冲器
OE
行解码器
1024 × 1024 × 16
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
†
V
IL
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
广告
产业
T
A
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
†
0
-40
公称
5.0
0.0
–
–
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。
推荐的操作条件下适用于整个本文件，除非另有规定。
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
22 P. 2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
