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AS4C14405-50JC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C14405-50JC图片预览
型号: AS4C14405-50JC
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内容描述: 1M位× 4 CMOS DRAM(快速页面模式或EDO ) [1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 395 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C14400
®
通用于所有波形AC参数
-40
符号
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
RSH (R)的
t
CSH
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
T
t
REF
t
CLZ
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS保持时间(读)
RAS到CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
转换时间(上升和下降)
刷新周期
CAS在低Z输出
70
20
40
10
18
13
10
40
0
0
8
2
0
最大
10K
30
20
50
16
90
30
50
13
20
15
13
50
0
0
10
2
0
-50
最大
10K
37
25
50
16
110
40
60
15
20
15
15
60
0
0
10
2
0
-60
最大
10K
45
30
50
16
130
50
70
18
20
15
18
70
0
0
10
2
0
-70
最大
10K
52
35
50
16
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
4,5
3
8
6
7
笔记
阴影区域包含预览。
读周期
-40
符号
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
AR (R)的
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CPN
t
消耗臭氧层物质
t
关闭
参数
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从地址访问时间
列从RAS增持
READ命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
列地址到RAS交货时间
CAS预充电时间
输出禁止设置时间
输出缓冲器关断时间
30
0
0
0
20
5
0
0
最大
40
10
20
10
40
0
0
0
25
10
0
0
-50
最大
50
13
25
13
45
0
0
0
30
10
0
0
-60
最大
60
15
30
15
55
0
0
0
35
10
0
0
-70
最大
70
18
35
18
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8,10
9
9
笔记
6
6,13
7,13
阴影区域包含预览。
4