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AS4C14400-40TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C14400-40TC图片预览
型号: AS4C14400-40TC
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内容描述: 1M位× 4 CMOS DRAM(快速页面模式或EDO ) [1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 395 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C14400
®
写周期
-40
符号
t
ASC
t
CAH
t
AWR
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
参数
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间RAS
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间RAS
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
数据保持时间为RAS
0
8
30
0
5
30
8
10
10
0
8
30
最大
0
10
40
0
10
40
10
13
13
0
10
40
-50
最大
0
10
45
0
10
45
10
15
15
0
10
45
-60
最大
0
15
55
0
15
55
15
18
18
0
15
55
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
11
11
笔记
阴影区域包含预览。
读 - 修改 - 写周期
-40
符号
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
RSH (W)的
t
CAS ( W)
参数
读 - 写周期时间
RAS以拖延时间
CAS以拖延时间
列地址来拖延时间
CAS到RAS保持时间(写)
CAS脉冲宽度(写)
105
60
30
40
10
10
最大
131
73
36
48
13
13
-50
最大
155
85
40
55
15
15
-60
最大
181
98
46
63
18
18
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
11
笔记
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5