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AS4C14400 参数 Datasheet PDF下载

AS4C14400图片预览
型号: AS4C14400
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内容描述: 1M位× 4 CMOS DRAM(快速页面模式或EDO ) [1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 395 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C14400
®
快速页模式周期
-40
符号
t
PC
t
t
CP
t
PCM
t
CRW
t
RASP
参数
读 - 写周期时间
(快页)
从CAS预充电时间访问
CAS预充电时间
(快页)
快速页模式,RMW周期
页模式CAS脉冲宽度
( RMW )
RAS脉冲宽度
30
5
65
45
40
最大
25
100K
35
10
76
54
50
-50
最大
30
100K
40
10
85
60
60
-60
最大
35
100K
45
10
96
69
70
-70
最大
40
100K
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
14
13
阴影区域包含预览。
刷新周期
-40
符号
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
CPT
参数
CAS建立时间( CAS先于RAS )
CAS保持时间( CAS先于RAS )
RAS预充电到CAS保持时间
CAS预充电时间
( CAS先于RAS计数器测试)
10
10
0
5
最大
10
10
0
10
-50
最大
10
15
0
10
-60
最大
10
15
0
10
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
笔记
3
3
阴影区域包含预览。
OUTPUT ENABLE
性病
符号
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
-40
参数
RAS保持时间参考OE
OE访问时间
OE数据延迟
输出缓冲器延迟关机
从OE
OE命令保持时间
5
10
10
最大
10
10
10
13
13
-50
最大
13
13
10
15
15
-60
最大
15
15
10
18
18
-70
最大
18
18
单位
ns
ns
ns
ns
ns
8, 10
笔记
阴影区域包含预览。
6