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该AS29LV400是组织为512KB的8位/每16位256k位的4兆， 3.0伏的闪存。对于柔性
擦除和编程能力，在4兆比特的数据被分成11扇区： 1 16K， 2 8K， 32K 1和7的64k
字节扇区;或者一个8K ， 2 4K ， 1 16K ，七32K字扇区。在× 8数据出现在DQ0 - DQ7 ;显示× 16数据
在DQ0 - DQ15 。该AS29LV400在JEDEC标准48引脚TSOP和44引脚SO提供。此装置被设计成
编程和擦除与单个3.0V V
CC
供应量。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
该AS29LV400提供了70/80/90/120 ns的存取时间，让高速微处理器0等待状态的操作。对
消除总线争用的设备都有单独的芯片使能
（C E）
，写使能
（WE）
和输出使能
（O E）
控制。字
模式（ ×16输出）的选择通过
B YT ê
=高。字节模式（ × 8输出）被选中
BY TE
=低。
该AS29LV400与JEDEC单电源闪存标准完全兼容。该设备采用标准的微处理器
写定时发送写命令寄存器。内部状态机采用寄存器的内容来控制擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器所需的编程和擦除操作的地址和数据。
数据被读出的相同方式与其他闪存或EPROM器件。使用本程序的命令序列来调用片上
编程算法，可以自动倍程序的脉冲宽度，并验证正确的电池余量。使用擦除
命令序列来调用自动片上擦除算法， preprograms扇区时它已不
在执行擦除操作之前编程。擦除命令还多次擦除脉冲宽度和验证正确的
单元格边距。
引导扇区结构使系统从顶部（ AS29LV400T ）或底部（ AS29LV400B ）扇区进行引导。
扇区擦除架构允许指定的存储扇区被擦除和重新编程，而无需更改数据等
部门。一个扇区通常会删除和1.0秒内验证。硬件扇区保护禁止双方计划和
在所有的擦除操作，或在11扇区的任意组合。该器件提供了真正的背景擦除与擦除挂起，
这使保持擦除操作要么读取数据，或程序数据，即不被擦除的扇区。该芯片
擦除命令会自动删除所有未受保护的行业。
当从工厂发货， AS29LV400被完全擦除（所有位= 1）。编程操作设置位为0的数据是
在任何序列和跨越扇区边界的时间编程到阵列中的一个字节。一个扇区，必须先擦除改变
从0到1擦除返回所有字节的扇区的擦除状态位（所有的位= 1）。每个扇区都没有单独擦除
对其他部门影响。
该器件具有用于读取单个3.0V电源工作，写和擦除功能。内部生成的，
提供了编程和擦除操作稳定电压。低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间transtitions 。该
RY / BY
销，
数据
DQ7 ，或触发位（ DQ6 ）的查询可以用来检测的结束
编程或擦除操作。该设备的程序后自动复位到读模式或擦除操作
完成。 DQ2指示哪个扇区被擦除。
该AS29LV400抵抗意外删除或电源转换产生的杂散编程信号。控制
注册建筑许可证变更存储器内容，只有当成功完成特定的命令序列具有
发生。残疾人士若V上电时，该设备被设置为只读模式，所有的编程/擦除命令
CC
小于V
LKO
（锁定电压） 。命令寄存器不受由小于5纳秒的噪声脉冲上
Ø E， CE ，否则我们
。要开始写
命令，
CE
和
WE
必须是逻辑零和
Ø ê
一个逻辑1 。
当所述设备的硬件
- [R （E S） （E T）
引脚被拉低，任何正在进行的编程/擦除操作被终止，内部
状态机复位到读模式。如果
RE性S E牛逼
引脚连接到系统的复位电路，并在一个系统复位时
自动化的片上编程/擦除算法，在地址位置运行数据可能会损坏，并要求
重写。复位装置使系统的微处理器能够从闪存读取引导固件。
该AS29LV400使用福勒- Nordheim隧穿一个部门同时向电擦除所有位。字节
程序1 ，在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
9/26/01; V.0.9.9.2
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
26第3页
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
