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AS29LV400T-70TI 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV400T-70TI图片预览
型号: AS29LV400T-70TI
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内容描述: 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM [3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 26 页 / 254 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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$6/9
Š
描述
解锁旁路功能增加在该系统程序字节或字的速度
设备,因为它绕过了标准程序指令序列的前两个解锁周期。
要启动旁路解锁命令序列,两个解锁周期必须写,然后
随后的第三周期具有解锁旁路命令, 20小时。
解锁绕道
命令序列
该设备然后开始解锁旁路模式。为了在这种模式下编程,两个周期
解锁绕道程序顺序是必需的。第一个周期有解锁绕道程序
命令:A0H 。其次是它具有这样的程序的地址和数据的第二周期。对
程序的其他数据,相同的序列必须被遵循。
解锁旁路模式有两个有效的命令,解锁绕道程序命令和
解锁绕道复位命令。该系统可以退出解锁旁路模式的唯一方式是通过
发布解锁旁路复位命令序列。此序列包括两个周期。第一
周期包含的数据, 90H 。第二个周期中包含的数据00H 。地址是不关心
这两个周期。然后设备返回到读取阵列数据。
芯片擦除需要6个总线周期:两个解锁写周期;一个setup命令,另外两个
解锁写周期;最后是芯片擦除命令。
芯片擦除
芯片擦除不需要的逻辑0被擦除前写的。当自动片上
擦除算法被调用,自动芯片擦除命令序列, AS29LV400
程序,并检验整个存储器阵列,用于在擦除之前的全零模式。该29LV400
返回读取芯片擦除完成后,模式,除非DQ5被设置为高超过的结果
时间限制。
扇区擦除需要6个总线周期:两个解锁写周期,一个setup命令,另外两个
解锁写周期,最后的扇区擦除命令。识别扇区被擦除
寻址在扇区中的任何位置。的地址被锁存的下降沿
WE
;该
命令, 30h中被锁存的上升沿
WE
。扇区擦除操作开始一个部门后,
擦除超时。
要删除多个部门,写扇区擦除命令,每个扇区的地址
按照上面的六个总线周期操作之后擦除。额外的部门之间的写入时间
必须小于擦除超时期限,或者AS29LV400忽略该命令和擦除
开始。在超时期间的任何下降沿
WE
复位超时。任何命令
在超时周期(比扇区擦除或擦除挂起除外)重置AS29LV400阅读
模式,并且该设备将忽略该扇区擦除命令字符串。删除被忽略这样的行业
重新启动就忽略了行业的扇区擦除命令。
整个阵列不需要被写入与擦除前的0。 AS29LV400写0到整个
行业之前,电擦除;写0只影响特定的行业,让非选择
行业不受影响。 AS29LV400需要在扇区擦除没有CPU控制或定时信号
操作。
自动扇区擦除后扇区擦除超时从最后一个上升沿开始
WE
扇区擦除命令流和结束时,
数据
轮询( DQ7 )是合乎逻辑1 。
数据
轮询
地址必须在属于该部门被擦除的地址进行。 AS29LV400
返回到读取模式后扇区擦除,除非DQ5设置了超过时限高。
扇区擦除
9/26/01; V.0.9.9.2
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
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