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AS29LV400 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV400图片预览
型号: AS29LV400
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内容描述: 3V 512K ×8 / 256K ×16的CMOS闪存EEPROM [3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 26 页 / 254 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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$6/9
Š
0RGH GHILQLWLRQV
描述
通过A9 = V选定
ID
(9.5V–10.5V),
权证
=
Ø ê
= A 1 = A 6 = L ,使输出。
MFR的ID码,
当A0引脚为低电平(V
IL
)输出数据= 52H ,独特的制造商。对于联盟的半导体闪存产品的代码。
器件代码
当A0引脚为高电平( V
IH
), D
OUT
表示为AS29LV400设备代码。
与选择
CE
=
Ø ê
= L,
WE
= H.数据是在T有效
地址后,时间是稳定的,T
CE
权证
是低
读取模式
和T
OE
Ø ê
是低的。
与选择
权证
= H部分断电,而我
CC
减少到<1.0 μA时
权证
= V
CC
± 0.3V =
RE性S E牛逼
.
如果在一个自动化的芯片算法激活后,设备完成进入前的操作
待机
待机。
输出禁用部分保持通电;但禁用与输出
Ø ê
拉高。
与CE =所选WE = 1, OE = H完成所有Flash的擦除和编程通过命令
注册。命令寄存器的内容作为输入,内部状态机。地址锁存发生
在WE或CE的下降沿,以后到为准。数据锁存发生在上升沿WE或CE ,
以先到为准。在我们的过滤器防止杂散噪声事件出现的写命令。
与外部编程设备实施的硬件保护电路会导致设备
启用
禁用编程和擦除操作的指定部门。对于在系统部门的保护,是指行业
部门保护
保护算法,第12页。
禁止扇区保护利用外部编程设备的所有部门。各部门一定要
扇形
前部门解除保护保护。对于在系统部门解除保护,请参见部门撤消
撤消
算法第12页。
验证写保护部门。行业免受商业编程/擦除操作
VERIFY行业
编程设备。确定是否在系统中写入ID读命令扇区保护存在
保护/
序列和阅读位置XXX02h ,其中地址位A12-17选择定义的扇区地址。一
撤消
在DQ0逻辑1表示受保护的部门;逻辑0表示未受保护的扇区。
暂时禁用在系统数据的变化,以保护行业部门的保护。适用于+ 10V至
- [R ES (E T)
临时
启动临时机构撤消模式。在临时机构撤消模式,程序保护
扇形
扇区通过选择适当的扇区地址。所有受保护的行业恢复到搬迁保护状态
撤消
对+ 10V的
- [R ES (E T)
.
重置INTERAL状态机读方式。如果设备是编程或擦除时, RESET = L ,数据
RE SE牛逼
可能已损坏。
按住RESET低进入深度掉电模式(
& LT ;
1 μA ) 。恢复时间,开始的第一个读周期为50ns 。
掉电
当地址保持稳定为300ns自动启用。典型电流消耗为1 μA 。现有的数据是
自动
可用来在这种模式下,系统中。如果地址发生变化时,自动睡眠模式被禁止,新
睡眠模式
数据是在标准访问时间返回。
9/26/01; V.0.9.9.2
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
26第5页