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AS29LV160 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV160图片预览
型号: AS29LV160
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内容描述: 3W 2M ×8 / 1M ×16 - CMOS闪存EEPROM [3W 2M x 8 / 1M x 16 - CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 29 页 / 529 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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$6/9
Š
&RPPDQG IRUPDW ? ??? ELW PRGH
总线写操作
1
命令长度
读/复位
自动选择
节目
开锁
绕行
开锁
绕行
节目
开锁
绕行
RESET
芯片擦除
块擦除
抹去
暂停
抹去
简历
CFI查询
1
3
3
4
3
第一个总线周期
地址
X
555
555
555
555
数据
F0
AA
AA
AA
AA
2AA
2AA
2AA
2AA
55
55
55
55
X
555
555
555
FO
90
A0
20
*
2
PA
*
2
PD
第二个总线周期
地址数据
第三总线周期
地址
数据
第四总线周期
第五总线周期
第六总线周期
地址数据地址数据地址数据
2
X
A0
PA
PD
2
6
6
1
1
1
X
555
555
X
X
X
90
AA
AA
B0
30
98
X
2AA
2AA
OO
55
55
555
555
80
80
555
555
AA
AA
2AA
2AA
55
55
555
BA
10
30

重点:L =低( <V
IL
) ; H =高( >V
IH
) ; X =无关
? ) RXUWK EXV ˚F \\ FOH LQ WKH DXWRVHOHFW PRGH LV ð UHDG ˚F \\ FOH ZLWK WKH IROORZLQJ H [ SHFWHG GDWD ? VHH QH [W WDEOH

? 7KHUH外债配额EH VXFFHVVLYH UHDG ˚F \\ FOHV ZLWK DGGUHVV ; ???

; ? ; ?? LQ DQ \\ RUGHU ?
5 ( $ ' FRGHV
模式
MFR码(联半导体公司)
× 8,T启动
器件代码
× 8 B启动
× 16吨启动
× 16 B启动
扇区保护

重点:L =低( <V
IL
) ; H =高( >V
IH
) ; X =无关
A19–A12
X
1
X
X
X
X
扇区地址
A6
L
L
L
L
L
L
A1
L
L
L
L
L
H
A0
L
H
H
H
H
L
CODE
52h
CAH
49h
22C4h
2249h
01H保护
00H无保护
8/30/01; V.0.9.5
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
29第7页