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AS29F200T-90SI 参数 Datasheet PDF下载

AS29F200T-90SI图片预览
型号: AS29F200T-90SI
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内容描述: 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 20 页 / 357 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ
®
$65<)533
: ULWH # RSHUDWLRQ # VWDWXV
状态
自动编程(字节/字)
编程/擦除的自动擦除
阅读擦除扇区
进行中
抹去
暂停
模式
读非擦除
扇形
程序擦除
暂停
DQ7
DQ7
0
1
数据
DQ7
DQ7
0
DQ7
DQ6
切换
切换
无切换
数据
切换
切换
切换
切换
DQ5
0
0
0
数据
0
1
1
1
DQ3
0
1
0
数据
0
NA
1
NA
DQ2
无切换
切换
切换
数据
切换
无切换
切换
RY / BY
0
0
1
1
0
1
1
自动编程(字节/字)
超过时间限制
编程/擦除的自动擦除
程序擦除挂起
无切换
1
†与OE或CE切换只擦除或擦除挂起扇区地址。
‡切换仅在DQ5 = 1和应用地址是行业内超出时间限制。
DQ8 - DQ15 =不关心在× 16模式。
&RPPDQG # GHILQLWLRQV
描述
开始读或写读/复位命令序列进入命令重置操作
注册。这使得微处理器可以从存储器中检索数据。器件将保持在读
模式,直到命令寄存器的内容被改变。
设备会自动加电时读取/复位状态。此功能只允许读取,因此,
确保上电时不会有虚假的记忆内容的改变。
AS29F200提供了制造商和设备代码两种方式。外部PROM编程器
通常通过A9驱动+ 12V访问设备代码。 AS29F200还包含一个ID读
命令来读取,只有+ 5V的设备代码,因为多路+ 12V上的地址线是
一般不可取的。
重置/读取
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
ID读
开始写的ID读命令序列到命令寄存器中读取设备ID。
从地址XX00h读顺序按照返回MFG代码。按照ID读取指令
顺序从地址XX01h读出时序返回设备代码。
为了验证写保护状态的行业,读地址XX02h 。扇区地址A16 - A12生产
1 DQ0为保护部门和0的未受保护的部门。
从ID退出阅读模式与读/复位命令序列。
持RESET低500 ns的复位装置,终止正在进行的任何操作;数据
在操作处理被损坏。内部状态机复位20微秒后, RESET驱动
低。 RY / BY保持低电平,直到复位操作完成。复位后置高,有一个
1.5微秒为设备的延迟,以允许读操作。
硬件复位
',' # 4407333<0 1美元# 72 : 233
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8