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项
描述
擦除挂起允许扇区擦除操作中断执行从一个部门不能读取数据
被删除。擦除挂起只适用于在扇区擦除操作，包括超时
期。编写一个擦除过程中扇区擦除超时导致立即暂停命令
终止超时时间和暂停擦除操作。
AS29F200忽略擦除过程中的任何命令，暂停比其他复位或擦除简历
命令。写简历擦除继续擦除操作。地址是无关的时候
写擦除暂停或删除恢复命令。
擦除挂起
AS29F200花费0.2〜15 μs的接收擦除挂起命令后暂停擦除操作。
检查擦除完成后暂停通过查询RY / BY 。检查DQ2与DQ6配合
确定一个扇区被擦除。 AS29F200忽略擦除多余的写操作挂起。
AS29F200默认，而擦除操作已被暂停擦除暂停阅读的模式。
而在擦除暂停阅读模式AS29F200允许读取数据或编程数据
任何部门不接受扇区擦除。
写简历的命令30H继续扇区擦除操作。 AS29F200忽略
Resume命令的冗余写入。 AS29F200允许多个挂起/恢复
在扇区擦除操作。
当试图写入受保护的部门，数据轮询andToggle第1位（ DQ6 ）被激活
约<1微秒。当试图删除受保护的部门，数据查询和
切换第1位（ DQ6 ）被激活约<5微秒。在这两种情况下，该设备返回到读模式
不改变指定的部门。
RY / BY表示自动上芯片算法是否正在进行（ RY / BY =低）或
完成（ RY / BY =高） 。不接受对器件编程/擦除命令时，
RY / BY =低。 RY / BY =高时，器件处于擦除挂起模式。 RY / BY是一个开漏输出，
使多个RY / BY引脚被捆绑并联一个上拉电阻到V
CC
.
部门保护
就绪/忙
6WDWXV#RSHUDWLRQV
数据查询（ DQ7 ）
在自动化的芯片算法或扇区擦除超时才有效。 DQ7反映
数据最后的补写时在自动化芯片算法（ 0读取时
擦除算法） ;反映了真实数据的自动化芯片算法完成后，阅读时
（1擦除agorithm完成后） 。
在自动化的芯片算法或扇区擦除超时活跃。 DQ6切换时， CE或OE
切换或擦除恢复命令被调用。 DQ6是有效的之后的第四个上升沿
我们编程时脉;之后，在芯片擦除第六WE脉冲的上升沿;
后扇区擦除的最后一个上升沿脉冲WE扇区擦除。对于受保护的行业， DQ6
擦除过程中切换仅供<1期间写微秒，并且<5微秒（如果所有选定行业的保护） 。
表示不成功完成方案/擦除操作（ DQ5 = 1）。数据轮询遗体
活跃;行政长官的权力设备下降到2毫安。如果DQ5在芯片擦除= 1 ，所有或某些部门是
有缺陷的;在字节编程，整个行业是有缺陷的;在扇区擦除，该部门是
有缺陷的（在这种情况下，复位装置和执行一个程序或擦除命令序列，以
继续与功能性部门工作） 。试图编程0-1将设置DQ5 = 1 。
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
翻转位（ DQ6 ）
超过时间限制
(DQ5)
'，' ＃ 4407333<0 1美元＃ 72 ： 233
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
:
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
