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该AS29F200是2兆， 5伏仅限Flash组织成256K字节的每8位或每16位128K字的记忆。对于柔性
擦除和编程能力，在2兆比特的数据被划分成7个扇区： 1 16K字节， 2 8K字节， 1 32K字节和三个64K字节。
在× 8数据出现在DQ0 - DQ7 ;在× 16的数据出现在DQ0 - DQ15 。该AS29F200提供的JEDEC标准的44引脚SO和48引脚
TSOP封装。本设备被设计为被编程和擦除在系统与单个5.0VV
CC
供应量。该装置也可以是
重新编程的标准EPROM编程器。
该AS29F200提供了55/70/90/120 ns的存取时间，让高速微处理器0等待状态的操作。为了消除总线
争用的设备已单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。字模式（ × 16输出）
按字节=高选择。
该AS29F200与JEDEC单电源闪存标准完全兼容。写入用的命令到命令寄存器
标准的微处理器写时序。内部状态机采用寄存器的内容来控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。从设备读取的数据在同一
方式与其他Flash或EPROM器件。使用该程序的命令序列来调用自动化芯片的编程算法
自动次编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。使用擦除命令序列来调用自动化
片上擦除算法， preprograms扇区，如果它尚未被执行擦除操作之前编程，次擦除
脉冲宽度，并验证正确的细胞保证金。
引导扇区结构使设备从顶部（ AS29F200T ）或底部（ AS29F200B ）扇区进行引导。扇区擦除架构
允许指定内存领域进行擦除和重新编程，而无需更改数据的其他部门。一个扇区通常今朝ES和
验证1.6秒内。硬件扇区保护禁止这两种编程和擦除所有的操作或7的任意组合
部门。该器件提供了背景擦除与擦除挂起，这使擦除挂起操作，从一个部门是无法读取数据
被删除。该芯片擦除命令会自动删除所有未受保护的行业。
一个出厂AS29F200完全擦除（所有位= 1 ） 。编程操作设置比特为0的数据被编程到阵列中1
字节/字在任何序列和跨越扇区边界的时候。一个扇区，必须先擦除从0变位为1，擦除返回的所有字节/
词语的一个扇区的擦除状态（所有位= 1）。每个部门与其他部门没有影响独立擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一5.0V电源工作。内部产生，调节电压
所规定的程序和擦除操作。低V
CC
检测器在上电期间transtitions自动禁止写操作。该
RY / BY销， DQ7的数据的轮询，或触发位（ DQ6 ）可以被用于检测程序的结束或擦除操作。自动装置
重置程序之后，读出的模式/擦除操作完成。
该AS29F200抵抗意外删除或电源转换产生的杂散编程信号。控制寄存器阿尔基tecture
只有成功完成特定的命令序列后，允许变更的存储器内容。上电时，该设备设置
阅读模式，所有的程序/擦除命令禁止在V
CC
小于V
LKO
（锁定电压） 。命令寄存器不是
受小于5纳秒上的OE ，CE或WE的噪声脉冲。 CE和WE必须是逻辑0; OE逻辑一开始写命令。
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当设备的硬件复位引脚被拉低，任何正在进行的编程/擦除操作将被终止，而内部状态
机将被重置为读模式。如果RESET引脚连接到系统复位电路和系统发生复位时的自动导通
芯片编程/擦除算法，在地址位置的数据被操作将会损坏并需要重写。重置
设备使系统的微处理器能够从闪存读取引导固件。
该AS29F200使用福勒- Nordheim隧穿一个部门同时向电擦除所有位。字节/字编程
1 ，在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
5
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ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
