3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ
®
$65<)533
）OH [ LEOH ＃ VHFWRU ＃ DUFKLWHFWXUH
底部引导扇区架构（ AS29F200B ）
扇形
0
1
2
3
4
5
6
×8
00000h–03FFFh
04000h–05FFFh
06000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–1FFFFh
20000h–2FFFFh
30000h–3FFFFh
×16
00000h–01FFFh
02000h–02FFFh
03000h–03FFFh
04000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–17FFFh
18000h–1FFFFh
SIZE
（千字节）
16
8
8
32
64
64
64
热门引导扇区架构（ AS29F200T ）
×8
00000h–0FFFFh
10000h–1FFFFh
20000h–2FFFFh
30000h–37FFFh
38000h–39FFFh
3A000h–3BFFFh
3C000h–3FFFFh
×16
00000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–17FFFh
18000h–1BFFFh
1C000h–1CFFFh
1D000h–1DFFFh
1E000h–1FFFFh
SIZE
（千字节）
64
64
64
32
8
8
16
在文字模式下，有一8K字，双字4K ， 1 16K字和三个32K字扇区。地址范围为A16 -A - 1，如果字节= V
IL
;地址范围是
如果A16 - A0字节= V
IH
.
,'#6HFWRU#DGGUHVV#WDEOH
底部启动扇区地址（ AS29F200B ）
扇形
0
1
2
3
4
5
6
A16
0
0
0
0
0
1
1
A15
0
0
0
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
A16
0
0
1
1
1
1
1
热门引导扇区地址（ AS29F200T ）
A15
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
0
1
X
2SHUDWLQJ#PRGHV
模式
ID读码MFR
ID读码器
读
待机
输出禁用
写
使部门保护
部门撤消
验证部门保护
临时机构
撤消
硬件复位
CE
L
L
L
H
L
L
L
L
L
X
X
OE
L
L
L
X
H
H
V
ID
V
ID
L
X
X
WE
H
H
H
X
H
L
脉冲/ L
脉冲/ L
H
X
X
A0
L
H
A0
X
X
A0
L
L
L
X
X
A1
L
L
A1
X
X
A1
H
H
H
X
X
A6
L
L
A6
X
X
A6
L
H
L
X
X
A9
V
ID
V
ID
A9
X
X
A9
V
ID
V
ID
V
ID
X
X
RESET
H
H
H
H
H
H
H
H
H
V
ID
L
DQ
CODE
CODE
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
X
X
CODE
X
高Z
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
L =低（ <V
IL
） ; H =高（ >V
IH
); V
ID
= 12.0 ± 0.5V ; X =不关心;在× 16模式，字节= V
IH
。在× 8模式，字节= V
IL
和DQ8-14是高阻带
DQ15 = A - 1 （X ） 。
'，' ＃ 4407333<0 1美元＃ 72 ： 233
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
6
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
