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AS29F200B-70TI 参数 Datasheet PDF下载

AS29F200B-70TI图片预览
型号: AS29F200B-70TI
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内容描述: 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 20 页 / 357 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ
®
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$XWRPDWHG#RQ0FKLS#SURJUDPPLQJ#DOJRULWKP
写程序命令序列
(见下文)
$XWRPDWHG#RQ0FKLS#HUDVH#DOJRULWKP
写擦除命令序列
(见下文)
数据轮询或切换位
成功完成
数据轮询设备
抹掉完成
芯片擦除命令序列
×16模式(地址/命令) :
5555h/AAh
是的
编程完成
2AAAh/55h
2AAAh/55h
扇区擦除命令序列
×16模式(地址/命令) :
5555h/AAh
验证字节?
NO
程序命令序列
×16模式(地址/命令) :
5555h/AAh
5555h/80h
5555h/80h
5555h/AAh
5555h/AAh
2AAAh/55h
2AAAh/55h
2AAAh/55h
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
5555h/A0h
5555h/10h
扇区地址/ 30H
程序地址/程序数据
多种可选
部门擦除命令
扇区地址/ 30H
扇区地址/ 30H
系统软件应先检查DQ3的地位和
下面的每个后续扇区擦除命令,以确保命令
完成。该设备可能不会接受命令,如果DQ3是
高上第二个状态检查。
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