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项
描述
编程AS29F200是在逐字节或字处理进行4总线周期操作
由字的基础。两个解锁写周期之前的程序设置命令和程序数据
写周期。在执行该程序指令时，没有额外的CPU控制或定时是
有必要的。地址锁存CE或WE （取最后一个）的下降沿;数据被锁存
在CE或WE的上升沿， （取首） 。该AS29F200的自动片上程序
算法提供了足够的内部产生的编程脉冲和验证
程序性细胞保证金。
字节/字
程序设计
检查程序状态进行采样，数据轮询数据（ DQ7 ） ，触发位（ DQ6 ） ，或RY /
BY引脚。该AS29F200返回上次写入它（与相当于数据
补码的数据） ，来完成编程操作。
该AS29F200忽略编程时写入的命令。发生硬件复位
在编程过程中可能会损坏数据以编程的位置。
AS29F200允许程序在任何序列，在任何领域的边界。从0变化的数据
到1需要进行擦除操作。试图程序数据0到1的结果DQ5 = 1 （超出
节目时间限制） ;读/复位操作后读取该数据返回0。
超过极限编程的时候， DQ5读取高， DQ6继续切换。在这种状态下，一个
复位命令返回的设备来读取模式。
芯片擦除需要6个总线周期：两个解锁写周期;一个setup命令，另外两个
解锁写周期;最后是芯片擦除命令。
芯片擦除
芯片擦除不需要擦除前的写入逻辑0。当自动芯片擦除
算法被调用，芯片擦除命令序列， AS29F200自动程序
并验证用于在擦除之前全零模式对整个存储器阵列。该AS29F200返回
读取芯片擦除完成后，模式，除非DQ5被设置为高超过时间的结果
极限。
扇区擦除需要6个总线周期：两个解锁写周期，一个setup命令，另外两个
解锁写周期，最后的扇区擦除命令。确定该扇区被擦除
寻址在扇区中的任何位置。这个地址被锁存WE的下降沿;该
命令， 30H被锁定在WE的上升沿。扇区擦除操作开始后80微秒
超时。
要删除多个部门，写扇区擦除命令，每个扇区的地址
按照上面的六个总线周期操作之后擦除。额外的部门之间的写入时间
必须是<80微秒，或AS29F200忽略该命令和擦除开始。在
超时期间，我们中的任何下降沿复位超时。任何命令（除扇区擦除等
或在超时擦除挂起）复位AS29F200阅读模式，并且该设备将忽略
扇区擦除命令字符串。通过重新启动扇区擦除命令擦除等部门忽视
被忽略的领域。
整个阵列不需要被写入与擦除前的0。 AS29F200写0到整个
行业之前，电擦除;写0只影响特定的行业，让非选择
行业不受影响。 AS29F200需要在扇区擦除没有CPU控制或定时信号
操作。
自动扇区擦除后擦除时间，从我们的最后一个上升沿从部门开始
擦除命令流和结束时的数据查询（ DQ7 ）是逻辑1，数据查询地址
必须在属于该部门被擦除的地址进行。 AS29F200返回阅读
扇区擦除，除非DQ5后，模式设定由超时限高。
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扇区擦除
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