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AS29F200B-120SC 参数 Datasheet PDF下载

AS29F200B-120SC图片预览
型号: AS29F200B-120SC
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内容描述: 5V 256K ×8 / 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 20 页 / 357 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ
®
$65<)533
89#589.ð;245;.ð49#&026#)ODVK#((3520
) HDWXUHV
•组织: 256K × 8或128K × 16
•部门架构
- 一个16K ; 2 8K ; 1 32K ;三64K字节的扇区
- 引导代码扇区架构-T(顶部)或B(底部)
- 擦除扇区或整片的任意组合
•读/写操作单5.0 ± 0.5V电源
•扇区保护
•高速55/70/90/120 ns的地址,访问时间
•自动芯片编程算法
- 自动程序/在指定地址的数据验证
连衣裙
•自动芯片擦除算法研究
- 自动preprograms /擦除芯片或指定的节
•万写/擦除周期耐力
=硬件复位引脚
- 复位内部状态机读取模式
•低功耗
- 20毫安典型的读取电流
- 30毫安典型的编程电流
- 300 μA的典型待机电流
- 1 μA典型待机电流( RESET = 0 )
• JEDEC标准的软件,封装与引脚
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
•检测程序/擦除周期结束
- DQ7数据查询
- DQ6触发位
- RY / BY输出
•擦除暂停/恢复
- 从没有被擦除扇区支持读取数据
•低V
CC
写锁定低于2.8V
/ RJLF #䂑# GLDJUDP
RY / BY
V
CC
V
SS
RESET
编程/擦除
控制
命令
注册
CE
OE
A-1
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
部门保护
开关
擦除电压
发电机
DQ0–DQ15
3LQ#DUUDQJHPHQW
48针TSOP
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
NC
RY / BY
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
V
SS
OE
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
44引脚SO
输入/输出
缓冲器
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
AS29F200
AS29F200
WE
字节
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
机顶盒
Y译码
ÿ门控
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
X解码器
细胞矩阵
A16
字节
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
A0–A16
6HOHFWLRQ#JXLGH
29F200-55
最大访问时间
最大的芯片使能访问时间
最大输出使能访问时间
t
AA
t
CE
t
OE
55
55
25
29F200-70
70
70
30
29F200-90
90
90
35
29F200-120单位
120
120
50
ns
ns
ns
',' # 4407333<0 1美元# 72 : 233
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
4
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