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AS29F040-120TI 参数 Datasheet PDF下载

AS29F040-120TI图片预览
型号: AS29F040-120TI
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内容描述: 5V 512K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 18 页 / 325 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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描述
开始读或写读/复位命令序列进入命令重置操作
注册。这使得微处理器可以从存储器中检索数据。设备仍然在读模式
直到命令寄存器的内容被改变。
设备会自动加电时读取/复位状态。此功能只允许读取,因此保证没有
在上电期间虚假记忆内容的改变。
AS29F040提供了制造商和设备代码两种方式。外部PROM编程器一般
通过A9驱动+ 12V访问设备的代码。 AS29F040还包含一个ID读命令来读取
只有+ 5V的地址线的设备代码,因为多路+ 12V一般是不可取的。
ID读
开始通过写入ID读装置ID读命令序列到命令寄存器。跟随
从地址XXX00h读顺序返回MFG代码。按照ID读取命令序列
从地址XXX01h读顺序返回的设备代码。
为了验证写保护状态的行业,读地址XXX02h 。扇区地址A18 - A16全国生产é A1
在DQ0为保护部门和0无保护部门。
从ID退出阅读模式与读/复位命令序列。
编程AS29F040是在逐字节的基础上执行一个4总线周期操作。两
解锁写周期之前的程序设置命令和程序数据的写入周期。上
执行该程序指令时,没有额外的CPU控制或定时是必要的。地址是
锁存CE或WE ,取其最后的下降沿;数据被锁存的CE的上升沿或
WE ,以先到为准。该AS29F040的自动片上程序算法提供足够的
内部产生的编程脉冲和验证程序性细胞余量。
字节/字
程序设计
检查程序的状态通过对数据轮询( DQ7 ) ,或触发位( DQ6 )采样数据。该
AS29F040返回上次写入它(与补充数据)的等效的数据,以
完成编程操作。
该AS29F040忽略编程操作期间写入的命令。
AS29F040允许程序在任何序列,在任何领域的边界。从0到1的变化数据
需要进行擦除操作。试图程序数据0到1的结果DQ5 = 1 (超出
节目时间限制) ;读/复位操作后读取该数据返回0。
超过极限编程的时候, DQ5读取高, DQ6继续切换。在这种状态下, areset
命令返回的设备来读取模式。
芯片擦除需要6个总线周期:两个解锁写周期;一个setup命令,另外两个解锁
写周期;最后是芯片擦除命令。
芯片擦除
芯片擦除不需要的逻辑0被擦除前写的。当自动芯片擦除
算法被调用,芯片擦除命令序列, AS29F040自动程序和
验证整个存储器阵列,用于在擦除之前全零模式。该AS29F040返回阅读
芯片擦除除非DQ5完成时模式被设置为高为超过期限的结果。
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重置/读取
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