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AS6YB1M8-BI 参数 Datasheet PDF下载

AS6YB1M8-BI图片预览
型号: AS6YB1M8-BI
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内容描述: [SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 126 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS6YB1M8  
&
Write cycle (over the operating range)ꢈꢈ  
–55  
Parameter  
Write cycle time  
Symbol  
Min  
55  
45  
45  
0
Max  
Unit  
Notes  
12  
t
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
WC  
Chip enable to write end  
Address setup to write end  
Address setup time  
t
CW  
t
AW  
t
12  
AS  
WP  
WR  
Write pulse width  
t
45  
0
Write recovery time  
t
Address hold from end of write  
Data valid to write end  
Data hold time  
t
0
AH  
t
25  
0
DW  
t
4, 5  
4, 5  
4, 5  
DH  
WZ  
OW  
Write enable to output in high Z  
Output active from write end  
UB/ LB low to end of write  
t
20  
t
5
t
45  
BW  
Write waveform 1 (WE controlled)ꢈꢉꢃꢈꢈ  
t
t
WC  
CW  
t
WR  
Address  
t
AH  
CS1  
CS2  
t
BW  
LB, UB  
t
AW  
t
t
WP  
AS  
WE  
t
t
DH  
DW  
Data valid  
D
IN  
t
WZ  
t
OW  
D
Data undefined  
OUT  
High Z  
9/ 24/ 01; V.0.9.3  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 10