欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AS6VB51216-70BI 参数 Datasheet PDF下载

AS6VB51216-70BI图片预览
型号: AS6VB51216-70BI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, CSP, FBGA-48]
分类和应用: 静态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 10 页 / 158 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
 浏览型号AS6VB51216-70BI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS6VB51216-70BI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS6VB51216-70BI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS6VB51216-70BI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS6VB51216-70BI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS6VB51216-70BI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS6VB51216-70BI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS6VB51216-70BI的Datasheet PDF文件第9页  
AS6VB51216  
&
ꢀꢁꢂꢁꢇꢁꢄ ꢆ  
Read waveform 2 (CS1, CS2, OE, UB, LB controlled)  
[WE=High]  
t
RC  
Address  
t
AA  
OE  
t
OE  
t
t
OH  
OLZ  
CS1  
t
OHZ  
t
ACS  
CS2  
t
t
HZ  
LZ  
LB, UB  
t
t
BA  
BHZ  
t
BLZ  
D
Data valid  
OUT  
ꢈꢈ  
Write cycle (over the operating range)  
–55  
–70  
–85  
Parameter  
Symbol  
Min  
55  
45  
45  
0
Max  
Min  
Max  
Min  
85  
60  
60  
0
Max  
Unit  
ns  
Notes  
12  
Write cycle time  
tWC  
tCW  
tAW  
tAS  
70  
60  
60  
0
Chip enable to write end  
Address setup to write end  
Address setup time  
ns  
ns  
ns  
ns  
12  
Write pulse width  
tWP  
tAH  
tDW  
tDH  
tWZ  
tOW  
tBW  
40  
0
50  
0
50  
0
Address hold from end of write  
Data valid to write end  
Data hold time  
ns  
ns  
25  
0
30  
0
30  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
4, 5  
4, 5  
4, 5  
Write enable to output in high Z  
Output active from write end  
UB/LB low to end of write  
0
20  
0
20  
0
20  
5
5
5
45  
60  
60  
1/21/02; V.0.9.6  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 10