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AS6UA51216-BI 参数 Datasheet PDF下载

AS6UA51216-BI图片预览
型号: AS6UA51216-BI
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内容描述: 1.65V至3.6V 512K 】 16 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能 [1.65V to 3.6V 512K】16 Intelliwatt low power CMOS SRAM with one chip enable]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 122 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS6UA51216
48-ball FBGA
Bottom View
6
5
4
3
2
1
Ball #A1
Top View
Ball #A1 Index
A
B
C
D
E
F
G
H
Elastomer
A
B1
B
A
C1
SRAM Die
C
Side View
Ε2
Detail View
A
Ε
D
E2
E
Die
Ε1
Y
Die
0.3/Typ
Minimum
A
B
B1
C
C1
D
E
E1
E2
Y
6.90
8.4
0.30
0.22
Typical
0.75
7.00
3.75
8.5
5.25
0.35
0.68
0.25
Maximum
7.10
8.6
0.40
1.20
0.27
0.08
Notes
1. Bump counts: 48 (8 row × 6 column).
2. Pitch: (x,y) = 0.75 mm × 0.75 mm (typ).
3. Units: millimeters.
4. All tolerance are ± 0.050 unless otherwise specified.
5. Typ: typical.
6. Y is coplanarity: 0.08 (max).
8
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
6/27/00