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AS6C4008-55PCN 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS6C4008-55PCN
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内容描述: 512K ×8位低功耗512K ×8位低功耗CMOS SRAM [512K X 8 BIT LOW POWER 512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 2758 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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OCTOBER 2007  
AS6C4008  
®
512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
VCC for Data Retention  
VDR CE# VCC - 0.2V  
2.0  
-
5.5  
V
**C  
**I  
V
CC = 2.0V  
-
-
2
2
30  
30  
µ
A
µ
IDR  
Data Retention Current  
CE# VCC - 0.2V  
Chip Disable to Data  
Retention Time  
See Data Retention  
Waveforms (below)  
tCDR  
tR  
0
-
-
-
-
ns  
ns  
Recovery Time  
tRC  
*
tRC = Read Cycle Time **C=Commercial temperature/I=Industrial temperature  
*
DATA RETENTION WAVEFORM  
VDR 2.0V  
Vcc(min.)  
Vcc  
Vcc(min.)  
tCDR  
tR  
VIH  
CE# Vcc-0.2V  
VIH  
CE#  
10/OCTOBER/07, V.1.1  
Alliance Memory Inc.  
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