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AS4LC256K16EO-45TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC256K16EO-45TC图片预览
型号: AS4LC256K16EO-45TC
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内容描述: 3.3V 256K ×16的CMOS DRAM( EDO ) [3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 526 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC256K16EO  
®
EDO page mode cycle  
-35  
-45  
-60  
Std  
Symbol Parameter  
Min  
15  
Max  
Min  
Max  
Min  
25  
Max Unit  
ns  
23 ns  
Notes  
14  
tPC  
Read or write cycle time (fast page)  
17  
tCAP  
tCP  
Access time from CAS precharge  
CAS precharge time (fast page)  
EDO page mode RMW cycle  
Page mode CAS pulse width (RMW)  
RAS pulse width  
19  
21  
13  
4
5
6
ns  
ns  
ns  
tPCM  
tCRW  
tRASP  
56  
44  
35  
58  
46  
45  
60  
50  
60  
75K  
75K  
75K ns  
Refresh cycle  
-35  
-45  
-60  
Std  
Symbol Parameter  
Min  
10  
8
Max  
Min  
10  
8
Max  
Min  
10  
10  
0
Max Unit  
Notes  
tCSR  
tCHR  
tRPC  
CAS setup time (CAS-before-RAS  
)
ns  
ns  
ns  
3
3
CAS hold time (CAS-before-RAS)  
RAS precharge to CAS hold time  
CAS precharge time  
0
0
tCPT  
8
8
8
ns  
(
CAS-before-RAS counter test)  
Output enable  
-35  
-45  
-60  
Std  
Symbol Parameter  
Min  
5
Max  
Min  
5
Max  
Min  
5
Max Unit  
ns  
10 ns  
Notes  
tROH  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
tOEH  
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
10  
10  
OE to data delay  
5
5
8
8
ns  
ns  
ns  
Output buffer turnoff delay from OE  
OE command hold time  
8
8
8
8
8
8
Self refresh cycle  
-35  
-45  
-60  
Std Symbol Parameter  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max Unit  
Notes  
RAS pulse width  
(CBR self refresh)  
tRASS  
tRPS  
100K  
100K  
100K  
ns  
ns  
ns  
RAS precharge time  
(CBR self refresh)  
85  
30  
85  
30  
85  
30  
CAS hold time  
(CBR self refresh)  
tCHS  
4/11/01; V.1.1  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 25