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AS4LC256K16EO 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC256K16EO图片预览
型号: AS4LC256K16EO
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内容描述: 3.3V 256K ×16的CMOS DRAM( EDO ) [3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 526 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC256K16EO
®
Write cycle
-35
Std Symbol Parameter
t
ASC
t
CAH
t
AWR
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
Column address setup time
Column address hold time
Column address hold time to RAS
Write command setup time
Write command hold time
Write command hold time to RAS
Write command pulse width
Write command to RAS lead time
Write command to CAS lead time
Data-in setup time
Data-in hold time
Data-in hold time to RAS
Min
0
5
28
0
0
28
5
11
11
0
5
28
Max
Min
0
6
35
0
0
35
6
12
12
0
6
35
-45
Max
Min
0
10
40
0
0
40
10
12
12
0
10
45
-60
Max Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
11
11
Notes
Read-modify-write cycle
-35
Std Symbol Parameter
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
RSH(W)
t
CAS(W)
Read-write cycle time
RAS to WE delay time
CAS to WE delay time
Column address to WE delay time
CAS to RAS hold time (write)
CAS pulse width (write)
Min
105
54
28
35
10
15
Max
Min
115
58
30
38
10
15
-45
Max
Min
120
60
30
40
12
15
-60
Max Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
11
Notes
4/11/01; V.1.1
Alliance Semiconductor
P. 6 of 25