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AS4LC8M8S0-8TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC8M8S0-8TC图片预览
型号: AS4LC8M8S0-8TC
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内容描述: 3.3V 4Mx16和8Mx8 CMOS同步DRAM [3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 548 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC4M16S0  
AS4LC16M4S0  
®
AC parameters common to all waveforms  
-75  
-8  
-10F  
Max  
-10  
CAS  
Sym  
Parameter  
latency Min Max Min Max  
Min  
20  
20  
20  
50  
70  
Min  
20  
30  
30  
60  
90  
Max Unit Notes  
tRRD Row active to row active delay  
tRCD RAS to CAS delay time  
tRP Row precharge  
15  
20  
20  
44  
66  
20  
20  
20  
50  
70  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
1
1
1
1
1
tRAS Row active  
tRC Row cycle time  
Last data in to new column  
address delay  
tCDL  
1
1
1
1
CLK  
2
tRDL Last data in to row precharge  
tBDL Last data in to burst stop  
2
1
2
1
2
1
2
1
CLK  
CLK  
2
2
Column address to column  
address delay  
tCCD  
1
1
1
1
CLK  
ns  
3
3
2
3
2
3
2
7.5  
10  
5.4  
6
6
6
8
10  
6
7
7
10  
15  
6
7
7
10  
15  
6
7
7
4
4
tCK CLK cycle time  
4,5,7  
4,5,7  
4,5,7  
4,5,7  
6
tAC CLK to valid output delay @ 50pF  
tOH Output data hold time @ 50 pF  
ns  
ns  
6
6
6
2.7  
3
3
3
3
3
3
3
tCH CLK high pulse width  
tCL CLK low pulse width  
tAS Add setup time  
2.5  
2.5  
1.5  
0.8  
1
3
3
3
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
3
3
3
6
2
2
2
6
tAH Add hold time  
1
1
1
6
tSLZ CLK to output in low Z  
1
1
1
5
3
2
tSHZ CLK to output in high Z  
ns  
tCKH CKEhold time  
tCKS CKE setup time  
0.8  
1.5  
1
1
1
ns  
ns  
2
2
2
CS, RAS, CAS, WE, DQM hold  
tCMH  
time  
0.8  
1.5  
1
2
1
2
1
2
ns  
ns  
CS, RAS, CAS, WE, DQM setup  
tCMS  
time  
tDH Data in hold time  
tDS Data in setup time  
0.8  
1.5  
1
2
1
2
1
2
ns  
ns  
8
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
7/ 5/ 00