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AS4C256K16E0-50 参数 Datasheet PDF下载

AS4C256K16E0-50图片预览
型号: AS4C256K16E0-50
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内容描述: 5V 256Kx16 CMOS DRAM ( EDO ) [5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 632 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C256K16E0  
®
AC parameters common to all waveforms  
-30  
-35  
-50  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
65  
25  
30  
5
Max  
Min  
70  
25  
35  
6
Max  
Min  
85  
25  
50  
10  
15  
15  
10  
50  
5
Max Unit  
Notes  
tRC  
Random read or write cycle time  
RAS precharge time  
ns  
ns  
tRP  
tRAS  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tRSH(R)  
tCSH  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tT  
RAS pulse width  
75K  
75K  
75K ns  
CAS pulse width  
35  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
ns  
RAS to CAS delay time  
RAS to column address delay time  
CAS to RAS hold time (read cycle)  
RAS to CAS hold time  
CAS to RAS precharge time  
Row address setup time  
Row address hold time  
Transition time (rise and fall)  
Refresh period  
15  
10  
10  
30  
5
20  
14  
16  
11  
10  
35  
5
24  
17  
6
7
0
0
0
5
6
9
1.5  
50  
8
1.5  
50  
8
3
50  
8
4,5  
3
tREF  
tCLZ  
CAS to output in low Z  
0
0
3
8
Shaded areas contain advance information.  
Read cycle  
-30  
-35  
-50  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
30  
10  
16  
Min  
Max  
35  
10  
18  
Min  
Max  
50  
10  
25  
Unit Notes  
tRAC  
Access time from RAS  
ns  
6
tCAC  
Access time from CAS  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
6,13  
7,13  
tAA  
Access time from address  
Column add hold from RAS  
Read command setup time  
Read command hold time to CAS  
Read command hold time to RAS  
Column address to RAS Lead time  
CAS precharge time  
tAR(R)  
tRCS  
26  
0
28  
0
30  
0
tRCH  
0
0
0
9
9
0
0
0
tRRH  
tRAL  
16  
3
18  
4
25  
5
tCPN  
tOFF  
Output buffer turn-off time  
0
8
0
8
0
8
8,10  
Shaded areas contain advance information.  
4/11/01; v.1.1  
Alliance Semiconductor  
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