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AS4C256K16E0-30JC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C256K16E0-30JC图片预览
型号: AS4C256K16E0-30JC
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内容描述: 5V 256Kx16 CMOS DRAM ( EDO ) [5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 632 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C256K16E0  
®
Write cycle  
-30  
-35  
-50  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
0
Max  
Min  
0
Max  
Min  
0
Max Unit  
Notes  
tASC  
Column address setup time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCAH  
tAWR  
tWCS  
tWCH  
tWCR  
tWP  
Column address hold time  
Column address hold time to RAS  
Write command setup time  
Write command hold time  
Write command hold time to RAS  
Write command pulse width  
Write command to RAS lead time  
Write command to CAS lead time  
Data-in setup time  
5
5
9
26  
0
28  
0
30  
0
11  
11  
5
5
9
26  
5
28  
5
30  
9
tRWL  
tCWL  
tDS  
10  
10  
0
11  
11  
0
12  
12  
0
12  
12  
tDH  
Data-in hold time  
5
5
9
tDHR  
Data-in hold time to RAS  
26  
28  
30  
Shaded areas contain advance information.  
Read-modify-write cycle  
-30  
-35  
-50  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
100  
50  
Max  
Min  
105  
54  
Max  
Min  
120  
60  
Max Unit  
Notes  
tRWC  
Read-write cycle time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRWD  
RAS to WE delay time  
CAS to WE delay time  
Column address to WE delay time  
CAS to RAS hold time (write)  
CAS pulse width (write)  
11  
11  
11  
tCWD  
26  
28  
30  
tAWD  
32  
35  
40  
tRSH(W)  
tCAS(W)  
10  
10  
12  
15  
15  
15  
Shaded areas contain advance information.  
4/11/01; v.1.1  
Alliance Semiconductor  
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