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AS4C1M16E5-60TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16E5-60TC图片预览
型号: AS4C1M16E5-60TC
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内容描述: 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) [5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 601 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C1M16E5  
®
AC parameters common to all waveforms  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tRC  
Parameter  
Min  
75  
30  
45  
8
Max  
Min  
80  
30  
50  
8
Max  
Min  
100  
40  
60  
10  
15  
10  
10  
50  
5
Max  
Unit Notes  
Random read or write cycle time  
RAS precharge time  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRP  
tRAS  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tRSH  
tCSH  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tT  
RAS pulse width  
10K  
10K  
35  
25  
10K  
10K  
35  
25  
10K  
10K  
43  
30  
CAS pulse width  
RAS to CAS delay time  
RAS to column address delay time  
CAS to RAS hold time  
RAS to CAS hold time  
CAS to RAS precharge time  
Row address setup time  
Row address hold time  
Transition time (rise and fall)  
Refresh period  
15  
8
15  
9
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
9
10  
10  
40  
5
10  
40  
5
0
0
0
8
8
10  
1
1
50  
16  
1
50  
16  
50  
16  
7,8  
6
tREF  
tCP  
CAS precharge time  
8
8
10  
30  
0
tRAL  
tASC  
tCAH  
Column address to RAS lead time  
Column address setup time  
Column address hold time  
25  
0
25  
0
8
8
10  
Read cycle  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tRAC  
Parameter  
Min  
Max  
45  
10  
23  
Min  
Max  
50  
12  
25  
Min  
Max  
60  
15  
30  
Unit Notes  
Access time from RAS  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
9
tCAC  
Access time from CAS  
9,16  
10,16  
tAA  
Access time from address  
Read command setup time  
Read command hold time to CAS  
Read command hold time to RAS  
tRCS  
0
0
0
tRCH  
tRRH  
0
0
0
12  
12  
0
0
0
4/11/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 22