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AS4C1M16F5-45TC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16F5-45TC图片预览
型号: AS4C1M16F5-45TC
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内容描述: [Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 22 页 / 486 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C1M16F5  
®
Write cycle  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tWCS  
tWCH  
tWP  
Parameter  
Min  
0
Max  
Min  
0
Max  
Min  
0
Max  
Unit Notes  
Write command setup time  
Write command hold time  
Write command pulse width  
Write command to RAS lead time  
Write command to CAS lead time  
Data-in setup time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
11  
11  
10  
10  
10  
8
10  
10  
10  
8
10  
10  
10  
10  
0
tRWL  
tCWL  
tDS  
0
0
12  
12  
tDH  
Data-in hold time  
8
8
10  
Read-modify-write cycle  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tRWC  
Parameter  
Min  
105  
65  
Max  
Min  
113  
67  
Max  
Min  
135  
77  
Max  
Unit Notes  
ns  
Read-write cycle time  
RAS to WE delay time  
CAS to WE delay time  
Column address to WE delay time  
tRWD  
ns 11  
ns 11  
ns 11  
tCWD  
tAWD  
30  
32  
35  
40  
42  
47  
Refresh cycle  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tCSR  
Parameter  
Min  
5
Max  
Min  
5
Max  
Min  
5
Max  
Unit Notes  
CAS setup time (CAS-before-RAS)  
CAS hold time (CAS-before-RAS)  
RAS precharge to CAS hold time  
ns  
ns  
ns  
3
3
tCHR  
8
8
10  
0
tRPC  
0
0
CAS precharge time  
(CBR counter test)  
tCPT  
10  
10  
10  
ns  
3/22/02; v.0.9.2  
Alliance Semiconductor  
P. 6 of 22