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AS29F010-150LC 参数 Datasheet PDF下载

AS29F010-150LC图片预览
型号: AS29F010-150LC
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内容描述: 5V 128K ×8 CMOS FLASH EEPROM [5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 10 页 / 169 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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®
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+9&&# #8133189/#966# #39/#7D# #3ƒ&#WR#.:3ƒ&,  
-120 -150  
JEDEC  
symbol  
Std symbol Parameter  
Min  
Max  
-
Min  
Max  
-
Unit  
ns  
tAVAV  
tRC  
tACC  
tCE  
tOE  
tDF  
tDF  
Read cycle time  
120  
150  
tAVQV  
tELQV  
tGLQV  
tEHQZ  
tGHQZ  
Address to output delay  
-
-
-
-
-
120  
120  
50  
-
-
-
-
-
150  
150  
50  
ns  
Chip enable to output  
ns  
Output enable to output  
Chip enable to output High Z  
Output enable to output High Z  
ns  
30  
30  
ns  
30  
30  
ns  
Output hold time from addresses, first  
occurrence of CE or OE  
tAXQX  
tOH  
0
-
0
-
ns  
$&#SDUDPHWHUV#³#ZULWH#F\FOH  
+9&&# #8133189/#966# #39/#7D# #3ƒ&#WR#.:3ƒ&,  
-120 -150  
JEDEC  
symbol  
Std symbol Parameter  
tWC Write cycle time  
tAS  
tAH  
tDS  
tDH  
tOES  
Min  
120  
0
Max  
Min  
150  
0
Max  
Unit  
ns  
tAVAV  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
tAVWL  
tWLAX  
tDVWH  
tWHDX  
Address setup time  
Address hold time  
ns  
50  
50  
0
50  
50  
0
ns  
Data setup time  
ns  
Data hold time  
ns  
Output enable setup time  
Output enable hold time: Read  
0
0
ns  
0
0
ns  
tOEH  
Output enable hold time:  
Toggle and DATA polling  
10  
-
10  
-
ns  
tGHWL  
tELWL  
tGHWL  
tCS  
Read recover time before write  
CE setup time  
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
µs  
µs  
tWHEH  
tWLWH  
tWHWL  
tWHWH1  
tWHWH2  
tCH  
CE hold time  
0
0
tWP  
Write pulse width  
Write pulse width high  
Programming pulse time  
Erase pulse time  
80  
20  
250  
1000  
2
80  
20  
250  
1000  
2
tWPH  
tWHWH1  
tWHWH2  
tVCS  
VCC setup time  
9
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