18-50 GHz的砷化镓MMIC
可变电压衰减器
AV850M1-00
特点
I
单电压控制
I
40分贝衰减范围
I
平衡0.25
µm
MESFET
无反光设计
I
100 ％晶圆RF和DC测试
I
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
MT 2010
0.320
芯片大纲
1.400
1.305
1.080
0.365
描述
阿尔法的AV850M1-00 MMIC可变电压衰减器
结合Lange耦合器的均衡配置
输入和输出。衰减器具有典型的插入损耗
的2.5分贝在18-40 GHz频带与最坏情况下的
的3.5分贝在整个18-50 GHz频带插入损耗。
衰减范围为35分贝在整个18-50 GHz的
乐队而典型的I / P和O / P回波损耗优于
13分贝所有衰减状态。该芯片采用Alpha的
探明0.25
µm
MESFET技术和基于
分子束外延层和电子束光刻的最高
的均匀性和可重复性。该MMIC产品采用表面
钝化，确保坚固耐用，可靠，部分
基板贯通过孔和金基背侧
金属化，以促进导电环氧树脂的芯片连接
流程。所有的芯片中筛选插入损耗，充分
衰减和I / P和O / P在18-50 GHz的比赛
乐队的性能保证。
0.095
0.000
0.000
1.634
2.000
尺寸以毫米。
所有的直流电压（V ）垫是0.1 ×0.1毫米， RF输入，输出垫0.07毫米宽。
芯片厚度= 0.1毫米。
绝对最大额定值
特征
工作温度（T
C
)
存储温度（T
ST
)
控制电压（V
C
)
在功率（P
IN
)
结温（T
J
)
价值
-55 ° C至+ 90°C
-65 ° C至+ 150°C
-7 V
DC
30 dBm的
175°C
电气规格在25 ℃（频率= 18 ， 24 ， 31 ， 38 ， 43 ， 50千兆赫）
参数
最大衰减
最小衰减
输入回波损耗
输出回波损耗
1 dB增益压缩输入功率
（所有衰减水平）
1
1.未测量了100％的基础上。
2.典型代表整个指定的位数参数值
频率范围的中位数芯片。
条件
V
C
= 0 V
V
C
= -5 V
于敏。和Max 。衰减
于敏。和Max 。衰减
符号
ISO
I
L
RL
I
RL
O
P
1分贝
分钟。
35
典型值。
2
45
2.5
-20
-20
0
马克斯。
3.5
-12.5
-12.5
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
•
传真
[617] 824-4579
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电子邮件
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•
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 2 / 00A
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ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
