PHEMT的砷化镓集成电路大功率SP4T开关0.1-2.5 GHz的
AS192-300
典型性能数据
0
-0.2
-0.4
0
-5
-10
隔离度（dB ）
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-0.6
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
损耗（dB）
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
典型插入损耗与频率
2.5
2.0
典型的隔离与频率的关系
绝对最大额定值
特征
RF输入功率
价值
4 W > 0.5 GHz的
0 / + 6 V控制
+6 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
VSWR
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
引脚输出
蚂蚁
C
BL
GND
频率（GHz ）
典型VSWR
真值表
V
1
V
2
V
3
V
4
蚂蚁-J
1
隔离
隔离
蚂蚁-J
2
隔离
蚂蚁-J
3
隔离
蚂蚁-J
4
隔离
隔离
隔离
插件。损失
GND
J
2
C
BL
J
1
GND
GND
V
4
V
高
V
低
V
低
V
低
插件。损失
V
低
V
高
V
低
V
低
V
低
V
低
V
高
V
低
C
BL
V
1
GND
GND
C
BL
J
4
插件。亏损隔离
隔离插件。损失
隔离
隔离
C
BL
J
3
V
低
V
低
V
低
V
高
隔离
V
低
= 0.
V
高
= 4.5〜 5.0 V的RF功率> 30 dBm的。
V
高
= 3.0〜 5.0 V的射频功率20-30 dBm的。
V
高
= 2.7〜 5.0 V的RF功率< 20 dBm的。
隔直流电容器（C
BL
）必须从外部提供。
C
BL
= 47 pF适用于工作频率为>500兆赫。
2
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规格如有变更，恕不另行通知。 2 / 01A
GND
V
2
V
3
ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
