初步
砷化镓集成电路高隔离阳性对照
单刀双掷开关DC- 3.0 GHz的
AS177-86
特点
I
正电压控制（ 0 / + 3 ，+ 5 V）
I
高隔离度（50 dB的0.9 ， 1.9千兆赫）
I
低DC功耗
I
非常适用于GSM ， PCS ， 3G和ISM 2.4 GHz的
应用
I
微型低成本MSOP- 10
塑料包装
MSOP-10
引脚10
销1
指标
0.118 (3.00 mm)
± 0.006 (0.15 mm)
0.193
(4.90 mm)
± 0.006
(0.15 mm)
销1
0.034
(0.86 mm)
± 0.004
(0.10 mm)
0.118 (3.00 mm)
± 0.006 (0.15 mm)
8˚–16˚
0˚–6˚
0.0197
(0.500 mm)
BSC
描述
该AS177-86是GaAs FET的IC SPDT开关封装
采用MSOP - 10塑料封装的低成本，高隔离度
商业应用。理想的基石基地
台双频应用合成隔离
是至关重要的。使用在结合AS165-59 SPST
切换到满足GSM合成器的隔离要求。
0.009 (0.23 mm)
REF 。
0.043
(1.09 mm)
马克斯。
0.022 (0.55 mm)
± 0.006 (0.15 mm)
0.006 （0.15 mm）最大。
0.002 （0.05 mm）最小。
电气特性，在25℃ （0， 3 V） ，（0， + 5V）
参数
1
插入损耗
3
条件
频率
2
DC- 1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
J
1
–J
2
/J
1
–J
3
J
1
–J
2
/J
1
–J
3
DC- 2.0 GHz的
2.0-2.5 GHz的
2.5-3.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
44/50
41/44
34
分钟。
典型值。
0.7
0.8
0.9
48/55
46/50
40
1.3:1
1.5:1
马克斯。
0.85
1.00
1.20
单位
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
4
工作特性，在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
开关特性
5
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
+3 V
+5 V
双音输入功率+5 dBm的
+3 V
+5 V
0.5-3.0 GHz的
0.5-3.0 GHz的
0.5-3.0 GHz的
0.5-3.0 GHz的
频率
分钟。
典型值。
50
100
25
+21
+27
+41
+45
马克斯。
单位
ns
ns
mV
dB
dB
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= +3 V @ 100 μA（最大值） 。至+5 V @ 200 μA（最大值） 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.插入损耗状态。
与1 ns的测量5.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
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