PHEMT的砷化镓集成电路高线性正
控制SPDT开关DC- 2 GHz的
AS173-73
特点
I
高线性度（ 50 dBm的IP3 @ 0.9 GHz的）
@3V
I
低插入损耗（0.35 dB的0.9千兆赫）
I
隔离（21 dB的0.9千兆赫）
I
3 V工作电压
I
超小型SOT -6封装
I
pHEMT工艺
SOT-6
0.074
（ 1.90毫米REF ）。
引脚6
销1
指标
销1
0.020 (0.51 mm)
0.014 (0.350 mm)
0.057 (1.45 mm)
0.035 (0.90 mm)
0.126 (3.20 mm)
0.087 (2.20 mm)
0.071 (1.80 mm)
0.052 (1.30 mm)
0.037 （0.95 MM） REF 。
0.012
(0.30 mm)
典型值。
0.014
(0.26 mm)
0.004
(0.10 mm)
5.0˚ ± 1˚
描述
该AS173-73是砷化镓PHEMT场效应管IC高线性度
SPDT开关采用SOT- 6塑料包装。该开关有
被设计为使用，其中非常高线性，低
插入损耗和超小型封装尺寸的
所需。它可以为正，负或一个被控制
结合这两种电压。一些标准
实现包括天线切换，T / R和
0.006
(0.15 mm)
0.000
(0.00 mm)
5.0˚ ± 1˚
0.122 (3.10 mm)
0.106 (2.70 mm)
0.022 (0.61 mm)
0.004 (0.10 mm)
分集切换2 W的AS173-73开关可以
在很多模拟和数字无线通信中使用
系统包括蜂窝， GSM和DECT应用程序。
电气规格在25 ° C（ 0 ， + 3V ）
参数
1
插入损耗
3
频率
2
DC- 0.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 0.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
23
18
11
分钟。
典型值。
0.35
0.35
0.55
26
20
14
1.2:1
1.3:1
1.4:1
1.8:1
马克斯。
0.40
0.50
0.70
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
4
工作特性，在25 ° C（ 0 ， + 3V ）
参数
开关特性
5
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
0/+3 V
0/+5 V
对于双音输入功率+17 dBm的
0/+3 V
0/+5 V
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
频率
分钟。
典型值。
60
100
50
+34
+38
+50
+57
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= +3 V @ 100 μA（最大值） 。至+5 V @ 200 μA（最大值） 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
4.插入损耗状态。
与1 ns的测量5.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
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1
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