砷化镓集成电路高隔离阳性对照
单刀双掷开关DC- 2.5 GHz的
AS148-24
特点
s
正电压控制
s
高隔离度（50 dB的0.9 GHz的
和1.9千兆赫）
s
低DC功耗
s
基站合成器开关
0.050 (1.27 mm)
0.016 (0.40 mm)
0.158 (4.01 mm)
0.150 (3.81 mm)
销1
指标
销1
SOIC-14
引脚14
0.050
（ 1.27毫米） BSC
0.244
(6.20 mm)
0.228
(5.80 mm)
0.020 (0.51 mm)
0.013 (0.33 mm)
0.049 (1.24 mm)
0.016 (0.41 mm)
描述
砷化镓场效应管IC SPDT开关封装在SOIC- 14
塑料封装为低成本的商业应用。理想
积木基站的双频段应用
其中，合成器隔离是重要的。用结合
与AS123-12 SPST开关，以满足GSM合成
隔离要求。
0.068
（1.73 mm）最大。
0.016 MAX 。
(0.41 mm)
x 45˚
倒角
8 °最大。
0.344 (8.75 mm)
0.337 (8.55 mm)
0.010 (0.25 mm)
0.0098 (0.25 mm)
0.004 (0.10 mm)
0.0075 (0.19 mm)
0.158 (4.00 mm)
0.150 (3.80 mm)
电气规格在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
1
插入
损失
3
频率
2
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
44
45
32
分钟。
典型值。
0.6
0.8
1.2
50
50
42
1.3:1
1.5:1
1.5:1
1.8:1
马克斯。
0.9
1.1
1.4
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
4
工作特性，在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
开关特性
5
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
双音输入功率+10 dBm的
0.5-2.0 GHz的
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= +5 V @ 200 μA（最大值） 。到+7 V @ 500 μA（最大值） 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
频率
分钟。
典型值。
60
100
50
+41
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.插入损耗状态。
与1 ns的测量5.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
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•
传真
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规格如有变更，恕不另行通知。 3 / 99A
1
ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
