砷化镓集成电路高隔离正
控制SPDT开关DC- 2.5 GHz的
AS118-12
特点
s
积极控制
s
高隔离度（45 dB的0.9千兆赫）
s
低插入损耗（0.5 dB的0.9千兆赫）
销1
指标
0.244 (6.20 mm)
0.228 (5.80 mm)
SOIC-8
引脚8
0.050 （1.27 MM） BSC
描述
该AS118-12是反射的SPDT场效应管集成电路开关。该
交换机需要外部隔直流电容器，正
供给和两个阳性对照。该装置被安装
在塑料表面安装并SOIC -8封装
非常适合在高隔离开关应用中，例如使用
作为基站合成切换。
销1
0.068
（1.73 mm）最大。
0.020 （0.51 mm）最大。
0.049
(1.24 mm)
0.016
(0.41 mm)
0.016 MAX 。
（0.41公厘）x
45 °倒角
0.197 (5.00 mm)
0.189 (4.80 mm)
0.010 (0.25 mm)
0.004 (0.10 mm)
0.158 (4.00 mm)
0.150 (3.80 mm)
0.010 (0.25 mm)
0.007 (0.17 mm)
8˚
马克斯。
电气规格在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
1
插入损耗
3
频率
2
DC–0.5
DC–1.0
DC–2.0
DC–2.5
DC–0.5
DC–1.0
DC–2.0
DC–2.5
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
46
43
24
15
分钟。
典型值。
0.55
0.6
0.7
0.9
50
46
27
18
1.2:1
1.4:1
1.6:1
1.4:1
1.7:1
2.1:1
马克斯。
0.65
0.7
0.8
1.1
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
4
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
工作特性，在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
1
开关特性
5
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
0.9 GHz的
对于双音输入功率+10 dBm的
0.9 GHz的
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= +3 V @ 100 μA（最大值） 。至+5 V @ 200 μA（最大值） 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
频率
分钟。
典型值。
60
100
50
+26
+41
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.插入损耗状态。
与1 ns的测量5.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
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1
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