AO8800 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8800
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 226 K
品牌：	ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]

2001年7月

AO8800

常见的漏双N沟道增强模式

场效应晶体管

概述

该AO8800采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，而

保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。该装置是

适合用作一个单向或双向

负载开关，通过它的共漏极便利

配置。

特点

(V) = 30V

= 6.4A

DS （ ON）

< 24mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

30mΩ到< （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 40MΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 70mΩ （V

= 1.8V)

TSSOP-8

顶视图

D1/D2

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

最大

漏源电压

栅源电压

±12

连续漏极

=25°C

6.4

当前

=70°C

5.4

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

单位

, T

英镑

1.5

1.08

-55到150

°C

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

120

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案