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AO4406 参数 Datasheet PDF下载

AO4406图片预览
型号: AO4406
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内容描述: N沟道增强型场效应晶体管 [N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 227 K
品牌: ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
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2002年3月
AO4406
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4406采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。这
设备是一个极好的高侧开关
笔记本CPU核DC - DC转换器。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 11.5A
R
DS ( ON)
< 14mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 16.5mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 26mΩ (V
GS
= 2.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
雪崩电流
B
B,E
B,E
最大
30
±12
11.5
9.6
80
25
78
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
AV
L=0.1mH
E
AV
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
重复性雪崩能量
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
23
48
12
最大
40
65
16
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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