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    AFM04P3-000 参数 Datasheet PDF下载

    AFM04P3-000图片预览
    型号： AFM04P3-000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低噪声/中等功率GaAs MESFET芯片 [Low Noise/Medium Power GaAs MESFET Chip]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器
    文件页数/大小： 2 页 / 19 K
    品牌： ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
     浏览型号AFM04P3-000的Datasheet PDF文件第2页  
    低噪声/中功率
    砷化镓MESFET芯片
    AFM04P3-000
    特点
    s
    21 dBm的输出功率@ 18 GHz的
    s
    关联度高增益， 9分贝@ 18 GHz的
    s
    高功率附加效率25 ％
    s
    宽带运营， DC- 26 GHz的
    s
    0.25
    µm
    钛/钯/金·盖茨
    s
    表面钝化
    芯片布局
    描述
    该AFM04P3-000是一款高性能功率的GaAs
    具有0.25的栅极长度的MESFET芯片
    µm
    和共
    400门周边
    µm.
    该器件具有出色的增益
    到26 GHz和动力性能，使之成为
    适合于广泛的商业和军事
    应用在振荡器和放大器电路。该装置
    采用的Ti / Pd / Au的门和金属表面
    钝化，确保坚固耐用，可靠的组成部分。
    绝对最大额定值
    特征
    漏源极电压（V
    DS
    )
    门源电压（V
    GS
    )
    漏电流（I
    DS
    )
    栅极电流（I
    GS
    )
    总功率耗散（ P
    T
    )
    存储温度（T
    ST
    )
    通道温度（T
    CH
    )
    价值
    6V
    -4 V
    I
    DSS
    1毫安
    700毫瓦
    -65到+ 150°C
    175°C
    电气规格在25℃
    参数
    饱和漏极电流（I
    DSS
    )
    跨导（GM ）
    夹断电压（V
    P
    )
    栅漏
    击穿电压（V
    BGD
    )
    噪声系数（ NF）
    相关的增益（G
    A
    )
    1 dB输出功率
    压缩（P
    1分贝
    )
    在1 dB压缩增益（G
    1分贝
    )
    功率附加效率（ ηadd ）
    热阻（ θ
    JC
    )
    T
    BASE
    = 25°C
    测试条件
    V
    DS
    = 2 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 5 V，I
    DS
    = 1毫安
    I
    GD
    = -400
    µA
    V
    DS
    = 2 V，I
    DS
    = 25 mA时， F = 4 GHz的
    分钟。
    90.0
    60.0
    1.0
    8.0
    典型值。
    140.0
    80.0
    3.0
    12.0
    0.6
    13.8
    21.0
    V
    DS
    = 5 V，I
    DS
    = 70 mA时， F = 18 GHz的
    9.0
    25.0
    250.0
    5.0
    马克斯。
    190.0
    单位
    mA
    mS
    -V
    -V
    dB
    dB
    DBM
    dB
    %
    ° C / W
    阿尔法工业公司
    [781] 935-5150
    •
    传真
    [617] 824-4579
    •
    电子邮件
    sales@alphaind.com
    •
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    规格如有变更，恕不另行通知。 6 / 99A
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