设计&操作注意事项：
1. ALD1701A / ALD1701B / ALD1701 / ALD1701G CMOS运算
放大器采用3增益级架构和改进的频率
补偿方案以实现高电压增益，高输出
驱动能力和更好的频率稳定性。在以往的
CMOS运算放大器的设计，补偿与实现
一个极点分离电容和一个电阻归零。该方法
然而，很偏压相关的，因此不能容纳
如从一个支架需要大范围的电源电压下运行
孤独的CMOS运算放大器。该ALD1701A / ALD1701B /
ALD1701 / ALD1701G内部为单位增益稳定补偿
使用一种新的方案，不使用调零电阻。这
计划在增益characteris-产生一个干净的单极滚降
抽动，同时提供在超过70度的相位裕度
单位增益频率。
2. ALD1701A / ALD1701B / ALD1701 / ALD1701G具有互为
在tary p沟道和n沟道输入差动级连接
平行实现轨至轨输入共模电压范围。
这意味着它们具有共模输入电压接近的范围
到电源，所述两个差动级中的一个被切换
关内。要保持与其它运营扩增兼容性
fiers ，该切换点被选择为约1.5V以下
正电源电压。由于偏移电压微调的
ALD1701A / ALD1701B / ALD1701 / ALD1701G由当输入
电压是对称的供电电压，该内部开关
不影响大量的各种应用程序，例如一个反相
用增益大于2.5的放大器或非反相放大器（5V
操作），其中，所述共模电压不会使excur-
sions高于该切换点上。用户但是应该注意
这个开关确实需要的地方，如果在运算放大器是
连为单位增益缓冲器，并应规定在其
设计以允许输入偏移电压的变化。
3.输入偏置和偏置电流基本上是输入保护
二极管的反向偏置漏电流，并且通常比1pA的少
在室温下进行。此低输入偏置电流保证了
来自源的模拟信号将不被输入偏置被扭曲
电流。通常情况下，这种极高的输入阻抗越大
比10
12
Ω
将不会是一个问题，因为在源阻抗会
限制了节点阻抗。然而，对于应用中的源
阻抗非常高，这可能是必要的，以限制噪声和交流声
皮卡通过适当的屏蔽。
4.输出级由甲乙类互补输出驱动器，
能够驱动低阻抗负载。输出电压摆幅
受限于漏极到源极导通电阻的输出晶体管
如由偏置电路，并且所述负载电阻器的值确定。
当连接在电压跟随器配置中，振荡
性特征，结合轨至轨输入和输出
功能，使一个有效的模拟信号缓冲区中高
源阻抗传感器，换能器，以及其它电路网络。
5. ALD1701A / ALD1701B / ALD1701 / ALD1701G业务扩增
费里已被设计为提供全面的静电放电保护。
在内部，设计经过精心实施，以最大限度地减少
闭锁。但是，必须注意处理设备时，可以行使
避免强烈的静电场可降低二极管结，引起
增加输入漏电流。在使用运算放大器，
建议用户到电路之前加电，或同时
与任何输入电压施加，并以限制输入电压不
超过电源电压电平0.3V。
6. ALD1701A / ALD1701B / ALD1701 / ALD1701G ，其
微操作，提供了降低功耗许多好处
供应需求，低噪音耦合和电流尖峰，少
热致漂移，更好的总体可靠性，由于较低的自
加热，并降低输入偏置电流。它要求几乎没有温暖
时间为芯片结加热到只有0.1 ℃，高于环境
温度大部分操作条件下。
典型性能特性
电源电流为函数
电源电压
INPUTS接地
输出空载
±7
共模输入电压范围
随着供应电压的函数
±6
±5
±4
±3
±2
±1
0
T
A
= 25°C
+25°C
-25°C
共模输入
电压范围（ V）
电源电流（ μA ）
400
300
T
A
= -55°C
200
100
0
0
±1
±2
±3
±4
±5
±6
电源电压（ V）
+125°C
+70°C
0
±1
±2
±3
±4
±5
±6
±7
电源电压（ V）
开环电压增益一
功能负载电阻
1000
输入偏置电流为一个函数
环境温度
10000
输入偏置电流（ PA）
1000
100
开环电压
GAIN （ V /毫伏）
V
S
=
±2.5V
100
10
10
V
S
=
±2.5V
T
A
= 25°C
1
10K
100K
1M
10M
1.0
0.1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
负载电阻（ Ω ）
环境温度（ ℃）
ALD1701A/ALD1701B
ALD1701/ALD1701G
先进的线性器件
4 9
ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
