A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD114813/ALD114913
V
GS （ TH）
= -1.3V
e
TM
EPAD
E
N
®
AB
LE
D
QUAD /双N沟道耗尽型EPAD®
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD114813 / ALD114913是单片四核/双N沟道MOSFET匹配
在使用ALD的EPAD成熟的CMOS技术的工厂。这些设备是
适用于低电压，小信号的应用程序。他们是优秀的功能
替代常闭继电器的应用，因为它们通常是在（ CON-
导管） ，没有任何功率应用，但可以关闭或调节时
系统电源被接通。这些MOSFET具有独特的character-
的，当栅极接地istics ，在电阻模式为低操作
漏极电压电平并在更高的电压电平的电流源模式和
提供恒定漏极电流。
这些MOSFET是专为特殊设备的电气特性
匹配。由于这些设备在同一块芯片上，它们还表现出
良好的温度跟踪特性。他们是多才多艺的设计的COM
ponents为广泛的模拟应用的，并且它们基本构造
为电流源，差分放大器的输入级，传输门电路块
和多路复用器应用。除了对相匹配的电特性，各
个别MOSFET的也显示出良好的控制参数，从而使用户能够
依靠严格的设计限制。不同批次，不同日期，甚至单位
制造了相应的良好的匹配特性。
这些耗尽型器件是专为最低的失调电压和differen-
TiAl金属的热响应，并且它们被设计用于转换和放大应用程序
单1.5V阳离子+/- 5V系统中的低输入偏置电流，低输入
电容和开关速度快是期望的。这些器件具有很好
控制的关断和亚阈值charactersitics ，因此可以用在
依赖于亚阈值特性的设计。
该ALD114813 / ALD114913适用于高精度应用这
需要非常高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
样品计算直流电流增益中的3毫安和栅极的漏电流
30PA的输入漏电流= 100,000,000 。它建议用户，对于
大多数应用程序，连接V +引脚，以最积极的电势（或左
打开未使用）和V-和N / C引脚中最负电势
系统。所有其他引脚必须在这些电压限制电压。
特点
•耗尽型（常开），无动力
•精确的栅极阈值电压： -1.30V +/- 0.04V
•额定ř
DS （ ON）
@V
GS
1.3KΩ的= 0.0V
•匹配的MOSFET MOSFET的特性
•严格的批次控制参数
•低输入电容
• V
GS （ TH）
比赛（V
OS
） - 为20mV
•高输入阻抗 - 10
12
Ω
典型
•正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
•直流电流增益>10
8
•低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD114813PC
16-Pin
SOIC
包
ALD114813SC
8-Pin
塑料DIP
包
ALD114913PA
8-Pin
SOIC
包
ALD114913SA
应用
• B型的功能性替代（ NC）继电器
•零电源故障安全电路
•备用电池电路
•电源故障检测器
•故障安全信号检测
•源极跟随器和缓冲器
•精密电流镜
•精密电流源
• Capacitives探头
•传感器接口
•充电检测器
•充电集成商
•差分放大器的输入级
•高边开关
•峰值检测器
•采样和保持
•报警系统
•电流倍增器
¥模拟开关
•模拟多路复用器
•电压比较器
•电平转换器
引脚配置
ALD114813
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
PC ， SC套餐
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
V
-
M4
M3
13
12
11
10
9
ALD114913
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值
冯1.0-0506 ©2005高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
