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ALD114835SC 参数 Datasheet PDF下载

ALD114835SC图片预览
型号: ALD114835SC
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内容描述: QUAD /双N沟道耗尽型EPAD匹配的一对MOSFET阵列 [QUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAYS]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 105 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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绝对最大额定值
10.6V
漏源电压,
V
DS
10.6V
栅源电压,
V
GS
功耗
500毫瓦
工作温度范围SCL , PCL , SAL , PAL包
0 ° C至+ 70°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度10秒
+260°C
小心: ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
V + = + 5V V- = -5V TA = 25
°
C除非另有说明
ALD114835/ALD114935
参数
栅极阈值电压
失调电压
VGS(th)1-VGS(th)2
偏移VoltageTempco
GateThreshold电压温度系数
符号
VGS ( TH)
VOS
TCVOS
TCVGS (日)
-3.55
典型值
-3.50
7
5
-1.7
0.0
+1.6
12.0
3.0
1.4
最大
-3.45
20
单位
V
mV
μV/°C
毫伏/
°C
VDS1 = VDS2
ID = 1μA , VDS = 0.1V
ID = 20μA , VDS = 0.1V
ID = 40μA , VDS = 0.1V
VGS = + 6.0V , VDS = + 5V
VGS = 0.5V + , VDS = + 5V
VGS = 0.5V +
VDS = + 5.5V
测试条件
IDS = 1μA , VDS = 0.1V
在漏极电流
IDS ( ON)
政府飞行服务队
mA
正向跨导
mmho
跨不匹配
输出电导
∆G
FS
GOS
RDS ( ON)
1.8
68
%
μmho
VGS = 0.5V +
VDS = + 5.5V
VDS = 0.1V
VGS = 0.0V +
漏源导通电阻
540
漏源导通电阻
公差
漏源导通电阻
不匹配
漏源击穿
电压
漏源极漏电流
1
∆R
DS ( ON)
5
%
∆R
DS ( ON)
BVDSX
IDS ( OFF )
IGSS
西塞
CRSS
花花公子
10
0.5
%
V
IDS = 1.0μA
VGS = -4.5V
VGS = -4.5V , VDS = + 5V
TA = 125°C
VDS = 0V ,V GS = 5V
TA = 125℃
10
400
4
200
1
pA
nA
pA
nA
pF
pF
ns
ns
dB
栅极漏电流
1
3
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
相声
注意事项:
1
2.5
0.1
10
10
60
V + = 5V , RL = 5KΩ
V + = 5V , RL = 5KΩ
F = 100KHz的
由结漏电流的
ALD114835/ALD114935
先进的线性器件
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