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ALD1121EPA 参数 Datasheet PDF下载

ALD1121EPA图片预览
型号: ALD1121EPA
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内容描述: QUAD /双EPAD精密匹配的一对N沟道MOSFET阵列 [QUAD/DUAL EPAD PRECISION MATCHED PAIR N-CHANNEL MOSFET ARRAY]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 58 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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绝对最大额定值
电源电压,V
+
参考V
-
电源电压,V
S
参考V
-
迪FF erential输入电压范围
功耗
工作温度范围PA , SA ,PC , SC包
DA , DC包
存储温度范围
焊接温度10秒
-0.3V至+ 13.2V
±6.6V
0.3V至V
+
+0.3V
600毫瓦
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
运行电气特性
T
A
= 25
°
(C V) + = + 5.0V ,除非另有说明
参数
漏源极电压
1
初始阈值电压
2
E- Vt的修剪范围
漏极 - 栅极连接
电压温度系数
符号
V
DS
V
T I
V
t
TCV
DS
0.990
1.000
-1.6
-0.3
0.0
+2.7
初始失调电压
3
V
我的操作系统
1
5
1.000
ALD1123E
典型值
最大
10.0
1.010
3.000
0.990
1.000
-1.6
-0.3
0.0
+2.7
1
5
1.000
ALD1121E
典型值
最大
10.0
1.010
3.000
单位
V
V
V
毫伏/°C的
毫伏/°C的
毫伏/°C的
毫伏/°C的
mV
I
D
= 5µA
I
D
= 50µA
I
D
= 68µA
I
D
= 500µA
I
DS
= 1μA牛逼
A
= 21°C
TEST
条件
V的温度系数
OS
差分阈值电压
差的温度系数
阈值电压
4
长期漂移
长期漂移赛
漏源电流ON
4
TCV
OS
DV
t
5
2.000
5
2.000
μV/°C
V
V
DS1
= V
DS2
tCDV
t
∆V
t
/∆t
∆V
t
/∆t
I
DS ( ON)
0.033
-0.02
-5
3.0
-0.05
0.033
-0.02
-5
3.0
-0.05
毫伏/°C的
mV
µV
mA
千小时
千小时
V
G
=V
D
= 5V V
S
= 0V
V
t
= 1.0
漏源电流ON
4
I
DS ( ON)
0.8
0.8
mA
V
G
=V
D =
5V V
S =
0V
V
t
= 3.0
V
t
= 1.000V
最初的零温度系数电压
3
零温度系数电流
最初的导通电阻
3
导通电阻匹配
V
ZTCi
I
ZTC
R
关于我
∆R
ON
1.52
68
500
0.5
1.52
68
500
0.5
V
µA
%
V
GS
¡= 5V V
DS
= 0.1V
注意事项:
1. V +的一定是最正供电线和V-,必须在最负供电线。比那些标记为V-其他的都可以在源端
V-和V +之间的任何电压。
2.初始阈值电压被设定在出厂。如果没有EPAD Vt的修整的目的是通过用户,那么这也是最后的或永久的阈值电压
值。
3.初始和最终值都相同,除非故意由用户改变。
4.这些参数适用于仅当一个或多个器件的Vt的是由用户改变。
ALD1123E/ALD1121E
先进的线性器件
3